Opublikowano

BIULETYN PTP nr 9 (1/2000)

Sprawozdanie z VI Ogólnopolskiego Seminarium Techniki Jonowe ’99

VI ogólnopolskie Seminarium „Techniki Jonowe – TJ’99” odbyło się w dniach od 3 do 5 marca 1999 r. tradycyjnie w ośrodku wczasowym Politechniki Wrocławskiej „Radość” w Szklarskiej Porębie. Po raz pierwszy obok Politechniki Wrocławskiej, a ściślej Instytutu Techniki Mikrosystemów organizatorami seminarium było: Polskie Towarzystwo Próżniowe i Uniwersytet Marii Curie Skłodowskiej w Lublinie. Instytut Fizyki UMCS i Instytut Techniki Mikrosystemów PWr uzgodniły, że będą corocznie organizowały spotkanie naukowe z zakresu technik jonowych przy czym naprzemiennie będą to Seminaria Technik Jonowych i Międzynarodowe Sympozja – implantacji jonowej i innych zastosowań jonów i elektronów. Pierwszą konferencję realizowaną w ramach tego porozumienia była organizowana w dniach od 16 do 19 czerwca 1998 w Kazimierzu Dolnym n/Wisła Konferencja „II International Symposium Ion Implantation and other Application of Ions and Electrons” Oba spotkania różnią się formułą , ale dzięki komplementarności ich formuł mogą być szczególnie użyteczne dla środowiska naukowego.
Podczas seminarium prezentowano przede wszystkim prace w postaci plakatowej, których było 28 oraz zostały wygłoszone 3 referaty przez: prof. F.F. Komarova – „Formation of buried high-resistant layers in silicon by two-step substoichiometric implantation of nitrogen ions”, prof. A Skołowską – „Płytka implantacja jonów w plazmowej inżynierii powierzchni” i dr hab. Ivo W. Rangelowa – „Plasma based 3D-structuring of silicon”. Wszystkie zaprezentowane doniesienia naukowe wraz z obszernym spisem projektów realizowanych w konkursach od XI do XV a finansowanych przez KBN na temat badał z zakresu „Technik Jonowych” (które przedstawił prof. J.Zdanowski) zostały opublikowane przez Instytut Techniki Mikrosystemów w wydawnictwie Politechniki Wrocławskiej.

Na podstawie Materiałów z VI TJ’99


SPRAWOZDANIE z 11th International Summer School Mielno �99 „Modern Plasma Surface Technology”

Jedenasta Miedzynarodowa Szkola Letnia „Modern Plasma Surface Technology” odbyla sie w dniach 10-14 maja 1999r. w Osrodku Szkoleniowo-Wypoczynkowym „Syrena” w Mielnie, otwierajac kolejna dziesiatke tych popularnych w kraju i uznanych w Europie spotkan naukowych. W tegorocznej szkole wykladowcami, obok znanych specjalist�w z kraju w dziedzinie pr�zniowo-plazmowych technologii uszlachetniania warstw wierzchnich: profesor Aleksandry Sokolowskiej z Politechniki Warszawskiej, profesora Zygmunta Rymuzy z Politechniki Warszawskiej oraz profesor Stanislawa Mitury i dr inz. Bogdana Wendlera z Politechniki L�dzkiej byli r�wniez wybitni reprezentanci tej dziedziny nauki z osrodk�w naukowych Europy.

Zagranicznymi wykladowcami Szkoly byli profesorowie: J. Colligon z Manchester Metropolitan University, Wielka Brytania, L.Hultman z Linköping University, Szwecja, E. Cesari z Universitat Illes Balears, Hiszpania, G. Leonhardt z firmy ProCon GmbH, Niemcy, F. Komarov i A. Labuda z Bialoruskiego Uniwersytetu w Minsku oraz dr L. Soukup i dr L. Jastrabik z Instytutu Fizyki Czeskiej Akademii Nauk, dr T. Eichten z firmy ULVAC, Japonia. Og�lem wygloszono 12 kilkugodzinnych wyklad�w.

Obok zajec wykladowych odbyla sie r�wniez trzygodzinna sesja plakatowa, w czasie kt�rej 21 uczestnik�w przedstawialo rezultaty aktualnie prowadzonych prac badawczych. Po kazdym wykladzie oraz przy kazdej prezentacji plakatowej odbywaly sie bardzo wnikliwe i ciekawe dyskusje, trwajace czesto do p�znych godzin wieczornych.
Szkole towarzyszyla wystawa sprzetu i armatury pr�zniowej firm Vakuum Technik Dresden GmbH z Niemiec oraz Zakladu Techniki Pr�zniowej TEPRO S.A. w Koszalinie. Tradycyjnie, w trakcie Szkoly odbylo sie r�wniez posiedzenie Sekcji Plazmowej Inzynierii Powierzchni Polskiego Towarzystwa Pr�zniowego.

Og�lem w Szkole uczestniczylo 80 sluchaczy, ze wszystkich krajowych osrodk�w naukowych z instytut�w naukowo-badawczych i uczelniach wyzszych, w kt�rych prowadzi sie badania nad pr�zniowo-plazmowymi metodami inzynierii powierzchni. Byli uczestnicy z: Politechniki Warszawskiej, Politechniki Wroclawskiej, Akademii G�rniczo-Hutniczej, Politechniki L�dzkiej, Politechniki Szczecinskiej, Politechniki Krakowskiej, Politechniki Poznanskiej, Wojskowej Akademii Technicznej, Szkoly Gl�wnej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie, Wojskowego Instytutu Techniki Pancernej i Samochodowej w Sulej�wku, Politechniki Koszalinskiej, Instytutu Technologii Pr�zniowej w Warszawie, Instytutu Chemii Fizycznej PAN w Warszawie, Instytutu Mechaniki Precyzyjnej w Warszawie, Instytutu Metalurgii i Inzynierii Materialowej PAN w Krakowie, Instytutu Obr�bki Skrawaniem w Krakowie, Instytutu Fizyki Jadrowej w Krakowie, Instytutu Obr�bki Plastycznej w Poznaniu, Miedzyresortowego Centrum Naukowego Eksploatacji Majatku Trwalego w Radomiu oraz osrodk�w zagranicznych Instytutu Fizyki Czeskiej Akademii Nauk i Vakuum Technik Dresden GmbH z Niemiec.
Ponadto uczestnikami Szkoly byli przedstawiciele jednostek gospodarczych wykorzystujacych pr�zniowe technologie plazmowe: Fabryka Wyrob�w Precyzyjnych VIS w Warszawie, VTT Sp. z o.o. w Koszalinie, Zaklady Techniki Pr�zniowej TEPRO S.A. w Koszalinie oraz ZELMER – Odlewnia Cisnieniowa sp. z o.o. w Rzeszowie.

Uczestnicy Szkoly podkreslali wielokrotnie wysoki poziom merytoryczny wyklad�w, mozliwosci prezentacji wlasnych wynik�w badan na sesji plakatowej, oraz wzrastajacy stopien integracji krajowych srodowisk naukowych w zakresie technik i technologii pr�zniowych. Uczestnicy Szkoly otrzymali wydrukowane materialy konferencyjne wydane przez oficyne Politechniki Koszalinskiej i zawierajace 30 referat�w na 360 stronach.

Sekretarz Naukowy Szkoly
dr inz. Piotr Myslinski
Kierownik Szkoly prof.dr hab.inz. Witold Precht


Sprawozdanie z VII Seminarium „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe” Kazimierz Dolny 15- 18 wrzesien 1999

Juz po raz trzeci Zaklad Fizyki Doswiadczalnej Instytutu Fizyki UMCS w dniach od 15 do 18 wrzesnia 1999 roku w Kazimierzu Dolnym /n Wisla, zorganizowal Seminarium „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe”. Bylo to kolejne, VII naukowe spotkanie czlonk�w Sekcji Nauki o Powierzchni i Cienkich Warstw PTP oraz innych os�b zajmujacych sie badaniami w dziedzinie powierzchni i cienkich warstw. Cele VII seminarium nie r�znily sie od tych jakie stawiano podczas poprzednich spotkan. Srodowisko os�b zajmujacych sie badaniami podstawowymi powierzchni i cienkich warstw jest stosunkowo w Polsce malo liczne i rozproszone w wielu uczelniach, instytutach PAN i instytutach resortowych. Seminarium mialo stworzyc okazje wymiany informacji na temat stanu aktualnie prowadzonych badan oraz umozliwic prezentacje swoich osiagniec naukowych, zwlaszcza mlodszym pracownikom. Jak zwykle w takich okolicznosciach, mialo ono takze stanowic okazje do nawiazania i zaciesnienia kontakt�w osobistych.

Spotkanie zgromadzilo ponad 60. uczestnik�w ze wszystkich wazniejszych osrodk�w naukowych zajmujacych sie zagadnieniami powierzchni i technologii cienkowarstwowej w Polsce. Wystapilo 13. zaproszonych specjalist�w z referatami plenarnymi oraz odbyla sie sesja plakatowa, na kt�rej przedstawiono ponad 45 prac w formie plakatowej. Seminarium rozpoczelo sie wykladem prof. Marka Szymonskiego z IF UJ w Krakowie, p.t. „Badania desorpcji izolator�w jonowych w skali nanometrycznej”. W kolejnych referatach pierwszego dnia seminarium tematyka technologii cienkowarstwowej i MBE przeplatala sie z zagadnieniami metod badawczych stosowanych w fizyce powierzchni.. Przykladem tego byly referaty prof. Macieja Bugajskiego z ITE w Warszawie p.t. „Mikrowneki p�lprzewodnikowe” i prof. Stefana Mroza z IFD Uniwersytetu Wroclawskiego, p.t. ” Wzrost ultracienkich warstw srebra na powierzchni niklu i miedzi”, czy prof. Jacka Kossuta z IF PAN w Warszawie „Krystalizacja p�lmagnetycznych p�lprzewodnik�w metoda MBE; aktualne problemy badawcze”.

Wazna czescia seminarium byla sesja plakatowa, na kt�rej uczestnicy prezentowali 45 plakat�w z prac wlasnych w wiekszosci o tematyce zblizonej do zawartej w referatach plenarnych.
Seminarium finansowane bylo czesciowo z oplat wnoszonych przez uczestnik�w a czesciowo z dotacji KBN i oplat wniesionych prze firmy prezentujace swoje wyroby. Firmy Thermo Optec, Comef i PreVac produkujace i sprzedajace sprzet i aparature UHV, mialy stworzone warunki do prezentacji uczestnikom seminarium i potencjalnym klientom swoich wyrob�w i material�w informacyjnych. Takze nasza macierzysta uczelnia UMCS wsparla finansowo organizacje tego naukowego wydarzenia.

Podtrzymana zostala opinia, ze seminarium wypelnia luke w systemie konferencji, zjazd�w i innych cyklicznych spotkan na temat fizyki powierzchni i cienkich warstw. W szczeg�lnosci daje ono okazje do zaprezentowania sie grupom i poszczeg�lnym osobom do tej pory malo widocznym. Postanowiono utrzymac w przyszlosci taki charakter spotkan jaki istnial do tej pory; powinno to byc seminarium krajowe z udzialem reprezentant�w jak najwiekszej liczby osrodk�w naukowych.
Dorobek naukowy seminarium w postaci material�w konferencyjnych zostanie wydrukowany w specjalnym, 33 numerze Electron Technology, czasopismie drukowanym w jezyku angielskim, wydawanym przez Instytut Technologii Eelektronowej w Warszawie.

Przewodniczacy Komitetu Organizacyjnego
Prof. dr hab. Mieczyslaw Jalochowski
Sekretarz Komitetu Organizacyjnego
Dr Krzysztof Paprocki


Sprawozdanie z I International Seminar on Semiconductor Surface Passivation – SSP�99

W dniach 19-22 wrze�nia 1999 r. odby�o si� w Hotelu „NARCYZ” w Ustroniu, pod auspicjami Sekcji Nauki o Powierzchni Polskiego Towarzystwa Pr��niowego, mi�dzynarodowe seminarium naukowe p.n. „I International Seminar on Semiconductor Surface Passivation – SSP�99”.

Pomys�odawc� Seminarium, oraz Przewodnicz�cym Komitetu Naukowego i Organizacyjnego by� prof. Jacek SZUBER, a g��wnym organizatorem – Zak�ad Fizyki Powierzchni P��przewodnik�w Instytutu Fizyki Politechniki �l�skiej w Gliwicach.

By�o to pierwsze spotkanie naukowe g��wie europejskich specjalist�w zajmuj�cych si� badaniami naukowymi z zakresu pasywacji powierzchni p��przewodnik�w w aspekcie zastosowa� w mikroelektronice. Og��em w Seminarium udzia� wzi��o ponad 40 uczestnik�w, w tym blisko 30 uczestnik�w zagranicznych z Anglii, Chin, Francji, Irlandii, Niemiec, Ukrainy, W�och i Rosji.

Seminarium rozpocz�� Przewodnicz�cy Komitetu Naukowego i Organizacyjnego prof. Jacek SZUBER, kt�ry m.in. serdecznie powita� uczestnik�w Seminarium, w tym cz�onk�w Mi�dzynarodowego Komitetu Doradczego (International Advisory Committee) z jego Przewodnicz�cym – prof. Hansem HARTNAGELEM z Technische Universitat Darmstadt (NIEMCY), kt�ry z kolei powita� uczestnik�w Seminarium w imieniu Komitetu Doradczego, a nast�pnie rozpocz�� referat plenarny p.t. „Passivation of Compound Semiconductor Surfaces for Low-Noise Terahertz Devices” w ramach sesji otwarcia Seminarium. W ramach tej samej sesji wyst�pi� r�wnie� prof. Andrzej JELE�SKI z Instytutu Technologii Materia��w Elektronicznych w Warszawie, kt�ry przedstawi� referat p.t.”Surfaces and Interfaces of III-V Semiconductor Compounds”.

W pierwszej sesji tematycznej pierwszego dnia Seminarium p.n. „Theoretical Studies of Semiconductor Surfaces and Interfaces” wyst�pili natomiast prof. G.P.SRIVASTAVA z Exeter University (ANGLIA) z referatem p.t. „Theoretical Modelling of Semiconductor Surfaces and Interfaces”, oraz prof. Mykola BERCHENKO z Lviv State University (UKRAINA) z referatem p.t. „Thermodynamical Aspects of Native Dielectric Compound Semiconductor Interface Formation”.
W trakcie drugiej sesji tematycznej pierwszego dnia Seminarium w godzinach popo�udniowych p.n. „Semiconductor Surface Passivationby Plasma Processing” wyst�pili Dr. Marie Paule BESLAND z Ecole Centrale de Lyon (FRANCJA) z referatem p.t. „Passivation of As Based III-V Materials and Devices Using ECR Silicon Nitride”, oraz Dr. Giovanni BRUNO z Plasma Chemistry Research Center of Bari (W�OCHY) z referatem p.t. „Real Time Spectroscopic Ellipsometry for III-V Surface Modifications: Hydrogen Passivation, Oxidation and Nitradation by Plasma Processing”.
Na zako�czenie tej sesji odby�a si� tradycyjna prezentacja aparatury badawczej do bada� powierzchni materia��w przedstawiona przez krajowych dystrubutor�w � sponsor�w Seminarium.
W godzinach wieczornych pierwszego dnia Seminarium odby�a si� natomiast Sesja Plakatowa, w trakcie kt�rej zaprezentowano ponad 20 komunikat�w z prac w�asnych.
Na zako�czenie pierwszego dnia Seminarium zorganizowano ognisko po��czone z pieczeniem kie�basek i s�uchaniem dobrej muzyki, g��wnie rockowej.

Drugi dzie� obrad Seminarium rozpocz�� si� referatem prof. Xiaoyuan HOU z Fudan University of Shanghai (CHINY) p.t. „Development of Sulfur Passivation Techniques of GaAs Surfaces and Devices” w ramach pierwszej cz��ci sesji tematycznej p.n. „GaAs Surface Sulfur Passivation”. W ramach tej cz��ci sesji wyst�pi� r�wnie� Dr. Thorsten KAMPEN z Chemnitz University (NIEMCY) z referatem p.t. „GaAs Surface Passivation by UHV Deposition of Halcogen Atoms”. W drugiej cz��ci tej sesji tematycznej wyst�pi� prof. Xinyi ZHANG z University of Science and Technology of China of Hefei (CHINY) z referatem p.t. „A Novel Sulfur Passivation Method and Magnetic Overlayers on Passivated III-V Semiconductor Surfaces”, oraz Dr.Vladimir BERKOVITS z Ioffe Institute of Technical Physics of St.Petersburg (ROSJA) z referatem p.t. „Nitrogen Chemical Passivation of GaAs(100) in Hydrazine-Based Solutions”.
Popo�udniowe obrady drugiego dnia Seminarium rozpocz��a sesja p.n. „InP Surface Sulfur Passivation”, w kt�rej zosta�y przedstawione referaty Dr.Thomasa CHASSE z University of Leipzig (NIEMCY) p.t. „Photoemission View on Arsenic and Sulfur Modified Interfaces of InP”, oraz Dr.Grega HUGHESA z Dublin City University (IRLANDIA) – „Core Level Photoemission Studies of Deposition of Thin Transition Metal Layers on Sulfur Terminated InP(100) Surface”.
W trakcie popo�udniowych obrad drugiego dnia Seminarium odby�a si� r�wnie� tzw. sesja okr�g�ego sto�u (round-table discussion) n.t. „Current status and perspectives of semiconductor surface passivation”, kt�rej moderatorem by� Prof. Hans HARTNAGEL – Przewodnicz�cy Mi�dzynarodowego Komitetu Doradczego (International Advisory Committee), z udzia�em specjalist�w z zakresu pasywacji powierzchni p��przewodnik�w uczestnicz�cych w Seminarium.
W godzinach wieczornych drugiego dnia Seminarium odby�a si� tradycyjna, uroczysta kolacja, po��czona z wyst�pem zespo�u kameralnego.

W trzecim dniu obrad Seminarium odby�a si� dwucz��ciowa sesja p.n. „New Trends in Semiconductor Passivation and Interface Formation”. W pierwszej z nich referat p.t. „A Review of InP(100) Passivated by Sb Deposition – Elaborated Structures and Devices” przedstawi� prof. Bernard GRUZZA z B.Pascal University of Clermont-Ferrand (FRANCJA). W drugiej cz��ci tej sesji referaty przedstawili krajowi referenci: Dr. Bogus�awa ADAMOWICZ z Politechniki �l�skiej w Gliwicach p.t. „Photo-Induced Non-Equlibrium Effects at Semiconductor Interfaces”, Dr. Piotr MAZUREK z Uniwersytetu M.C.Sk�odowskiej w Lublinie p.t. „Analysis of RHEED Intensities During Formation of CaF2/Si(111) Interfaces”, oraz Dr. Franciszek KROK z Uniwersytetu Jagiello�skiego w Krakowie n.t.”Studies of Early Stages of Epitaxial Growth of Ionic Crystals on III-V Semiconductor Surfaces”.

Podsumowania bardzo interesuj�cych obrad Seminarium, kt�rym towarzyszy�y d�ugie dyskusje po ka�dym zaprezentowanym referacie, dokona� Dr. Thomas CHASSE, natomiast uroczystego zamkni�cia Seminarium – Przewodnicz�cy Komitetu Naukowego i Organizacyjnego – prof. J. SZUBER.
Organizatorzy wydali specjalny zeszyt z programem i streszczeniami przedstawionych referat�w i komunikat�w. Pe�na tre�� wybranych referat�w plenarnych oraz komunikat�w plakatowych zaakceptowanych do druku zostanie natomiast opublikowana w specjalnym numerze VACUUM, recenzowanego czasopisma o zasi�gu �wiatowym z tzw. listy filadelfijskiej, wydawanego przez Elsevier Science Ltd, UK.

Seminarium sta�o si� okazj� do wymiany informacji, do�wiadcze� i pomys��w, forum do szerokiej dyskusji na temat aktualnie prowadzonych bada� z tej tematyki nie tylko w w Europie, oraz umo�liwi�o prezentacj� swoich osi�gni�� naukowych, zw�aszcza m�odym pracownikom naukowym. Sta�o si� ponadto okazj� do nawi�zania i zacie�nienia kontakt�w osobistych w trakcie m.in. dyskusji w przerwach obrad na tarasie Hotelu „NARCYZ” przy pi�knej s�onecznej pogodzie.
W powszechnej opinii uczestnik�w, w tym wybitnych specjalist�w z tematyki powierzchni p��przewodnik�w – m.in. cz�onk�w komitet�w redakcyjnych �wiatowych czasopism naukowych, Seminarium dobrze wype�ni�o luk� w systemie konferencji naukowych z tematyki powierzchni p��przewodnik�w organizowanych w �wiecie i zgodnie ze wst�pnymi ustaleniami b�dzie organizowane cyklicznie co 2 lata, z udzia�em specjalist�w ze wszystkich wa�niejszych o�rodk�w �wiatowych z tej tematyki.

Seminarium by�o finansowane cz��ciowo z op�at konferencyjnych wnoszonych przez uczestnik�w oraz kilku sponsor�w, a cz��ciowo z dotacji Komitetu Bada� Naukowych, m.in. poprzez Polskie Towarzystwo Pr��niowe.

Przewodnicz�cy Komitetu Naukowego i Organizacyjnego
prof. Jacek Szuber


Zawiadomienia o konferencjach PTP w 2000

II International Seminar on Semiconductor Gas Sensors SGS’2000
USTRON, September 25-28, 2000.

II Miedzynarodowe Seminarium P�lprzewodnikowych Sensor�w Gazowych – II International Seminar on Semiconductor Gas Sensors – SGS�2000, organizowane przez Zaklad Fizyki Powierzchni P�lprzewodnik�w Instytutu Fizyki Politechniki Slaskiej w Gliwicach, pod auspicjami Sekcji Nauki o Powierzchni oraz Sekcji Cienkich Warstw Polskiego Towarzystwa Pr�zniowego, poswiecone bedzie zaprezentowaniu aktualnych kierunk�w w fizyce, chemii, technologii i zastosowaniach p�lprzewodnikowych sensor�w gazowych, prowadzonych w r�znych osrodkach naukowych zagranicznych i krajowych. Jego celem jest r�wniez pr�ba integracji srodowiska naukowego zajmujacego sie tymi zagadnieniami w kraju i za granica. Nie spelniaja tej roli miedzynarodowe konferencje sensorowe, w tym r�wniez EUROSENSORS, zdominowane gl�wnie przez metrolog�w.

Seminarium odbedzie sie w dniach 25-28 wrzesnia 1998 r. w Hotelu „NARCYZ” w Ustroniu. Przewodniczacym Komitetu Naukowego i Organizacyjnego Seminarium jest prof. Jacek SZUBER.

W trakcie Seminarium zostanie wygloszonych ok. 25 zaproszonych referat�w (45 min.), dotyczacych wazniejszych kierunk�w badawczych w dziedzinie p�lprzewodnikowych sensor�w gazowych (wstepna lista dotychczas potwierdzonych referat�w w zalaczeniu). Pozostale zgloszone prace zostana przedstawione w postaci kr�tkich 15-min. komunikat�w lub w postaci plakatowej.

Obrady Seminarium odbywac sie beda w jezyku angielskim.
Oplata konferencyjna szacowana na ok. 300 USD (1200 zl) obejmuje pelne koszty uczestnictwa, w tym noclegi i wyzywienie, oraz koszty material�w konferencyjnych.

>Informacje o Seminarium zostaly juz wyslane w formie komunikatu nr 1 do prawie 100 os�b ze wszystkich wazniejszych osrodk�w naukowych w kraju i za granica, zajmujacych sie tematyka p�lprzewodnikowych sensor�w gazowych. Zgloszenia uczestnictwa na zalaczonych kartach zgloszenia lub poczta elektroniczna beda przyjmowane do dnia 31 maja 2000 r. O zakwalifikowaniu prac przez Komitet Programowy zainteresowane osoby zostana powiadomione do dnia 30 czerwca 2000 r. w komunikacie nr 2, w kt�rym podane zostana r�wniez informacje o ostatecznej wysokosci oplaty konferencyjnej, oraz o sposobie jej wniesienia w terminie do dnia 15 sierpnia 2000 r.

Materialy Seminarium uka�� si� w specjalnym numerze czasopisma Thin Solid Films. Maszynopisy prac przedstawionych na Seminarium i zgloszonych do druku zostana poddane procedurze recenzji w trakcie trwania Seminarium. Informacje o sposobie przygotowania material�w zostana podane w komunikacie nr 2.

MIEDZYNARODOWY KOMITET DORADCZY:
N.BARSAN (Tubingen), J.de AGAPITO (Madrid), D.KOHL (Giessen), V. LANTTO (Oulu), J.MARTINELLI (Ferrara), J.MORANTE (Barcelona), L.OTTAVIANO (Aquilla), F.RETI (Budapest), G.SBERVEGLIERI (Brescia), V.SMYNTYNA (Odessa), U.WEIMAR (Tubingen), D.E.WILLIAMS (London), N.YAMAZOE (Fukuoka)
KOMITET PROGRAMOWY:
J. SZUBER (Gliwice) � Przewodniczacy, L.GOLONKA (Wroclaw), I.KOCEMBA (L�dz), M.URBANCZYK (Gliwice), K.ZAKRZEWSKA (Krak�w)
KOMITET ORGANIZACYJNY:
J. SZUBER – przewodniczacy, B.ADAMOWICZ, L.GRZADZIEL, K.MIKOLAJCZAK.

POTWIERDZONE REFERATY ZAPROSZONE
J. de AGAPITO – University of Madrid (SPAIN)
Nanocrystalline Tin Dioxide Sensors for Oxidizing Gases
M. IVANOVSKAYA – Belarus State University, Minsk (BELARUS)
Ceramic and Film Metaloxide Sensors Obtained by Sol-Gel Method J. MORANTE – University of Barcelona (SPAIN)
Where and how are the cathalytic atoms used in nano tin dioxiode gas sensors?
L. OTTAVIANO – University of Aquilla, L�Aquilla (ITALY)
Phthalocynaines as semiconductor gas sensors
F. RETI – Technical University of Budapest (HUNGARY)
Dependence of sensitivity on structural properties of semiconductor oxides
V. SMYNTYNA – Odessa I.I.Mechnikov State University, Odessa (UKRAINE)
Oxygen Gas Sensors on the Basis of Semiconductor Thin Films
K. ZAKRZEWSKA � Academy of Mining and Metallurgy, Krak�w (POLAND)
Mixed Oxide Gas Sensors

ADRES DO KORESPONDENCJI:

Komitet Organizacyjny SGS�2000 Zaklad Fizyki Powierzchni P�lprzewodnik�w Instytut Fizyki Politechniki Slaskiej 44-100 Gliwice, Krzywoustego 2 tel.: (32) 37-20-57; fax: (32) 37-22-16 e-mail:szuber@zeus.polsl.gliwice.pl

http://zeus.polsl.gliwice.pl/~zfppp/sgs2000/


Third Polish-French Symposium on Vacuum Science, Technology and Applications

Organized under the auspices of Polish Vacuum Society and French Vacuum Society

Time schedule
Thursday, May 18
800-900 Registration, Submission of Manuscripts
900-1700 Sessions
Friday, May 19
900-1700 Sessions

AIM AND TOPICS

The aim of the Symposium is to review current achievements in studies of those aspects of vacuum science, technology, and applications which either came out as a result of the joint Polish-French cooperation, or they could be of interest to both Polish and French participants for future bilateral projects. The following topics will be presented during the Symposium:

  • Vacuum Science and Technology
  • Vacuum Metallurgy and Thin Films
  • Materials and Processing for Electronics
  • Surface Treatments (including plasma treatments)
  • Nanomaterials
  • Applied Surface Science In addition we would like to take the opportunity of this meeting to encourage collaboration between universities and industry of both our countries. SYMPOSIUM FEE AND LOCAL COSTS
    A registration fee of 400 FF /250 zl/ will be requested from all Symposium participants except invited speakers. The registration fee covers the costs of administration, conference materials, symposium dinner as well as drinks and snack during the symposium breaks. A hotel accommodation cost is 160 – 350 FF /100-220 zl/ per night (depends on the hotel standard) for a single room with breakfast included. A single lunch will cost approx. 100 FF /60 zl/ in a neighbouring cafeteria. The registration fee should be transferred to the Institute of Vacuum Technology account at:

    Powszechny Bank Kredytowy S.A. I Oddzial w Warszawie, ul. Klopotowskiego 15 PL-00-987 WARSZAWA Account 11101011-2525-2700-1-39 (Please add the participant name)

    FRENCH INVITED SPEAKERS

    1. Prof. Alain Schuhl (Univ. Henri Poincare-Nancy I, Nancy)- Multilayer magnetic sensors.
    2. Dr Michel Fauconnier (President, Busch �France) -Vacuum Technologies in food industry and processing.
    3. Prof. Camille Cohen (GPS, Univ. Paris 7 et Paris 6, Paris) � Study of the composition and crystallographic structure of surfaces, interfaces and thin films by swift light ion beams.
    4. M. Francois Horreard ( Cameca-France, Courbevoie) – Recent developments in thin films analysis by SIMS and Castaing probe.
    5. M. Jean-Claude Goubert (Director, Thomson-Polkolor, Piaseczno) � Vacuum technology evolution in colour picture tubes and displays.
    6. Dr Thierry Czerwiec ( Ecole des Mines de Nancy-CNRS, Nancy)- Plasma surface interaction: applied and fundamental aspects.
    7. Dr Pierre Legagneux (Thomson-CSF/LCR, Orsay) – Field emission properties of carbon based materials.
    8. Dr Pascal Aubert: (Univ. d`Evry Val d`Essonne)- Investigation of internal stress in thin films.

    POLISH INVITED SPEAKERS

    1. Prof. Marek Godlewski (Institute of Physics PAS, Warsaw) – Atomic Layer Epitaxy of ZnO for Substrates used in MBE of GaN
    2. Prof. Stanis�aw Ha�as (Maria Curie-Sk�odowska University, Lublin) – Improved Electron Emission Controller with Pulsed Heating of Filament for Vacuummetry and Mass Spectrometry
    3. Dr Piotr Konarski (Institute of Vacuum Technology, Warsaw) � Depth profile analysis SIMS Method Applications in Protection of Natural Environment
    4. Prof. Leszek Michalak (Maria Curie-Sk�odowska University, Lublin) – Mass Spectrometric Investigation of Gaseous Micro clusters
    5. Prof. Witold Precht (Technical University, Koszalin) – Advanced Carbon and Carbon-Related PVD Coatings: Properties and Industrial Applications
    6. Prof. Feliks Stobiecki (Institute of Molecular Physics PAS , Pozna�) – Ion Sputtering Techniques for Magnetic Recording Thin Film Production
    7. Dr Piotr Szwemin (Warsaw University of Technology, Warsaw)- High Precision Gas Flow Calculations by Monte Carlo Methods
    8. Stefan Maksymiuk (TEPRO-Koszalin) Vacuum packing for food industry and various technical components

      SCIENTIFIC COMMITTEE

      Dr. M.-G. Barthes (CNRS-CECM) – co-chair
      Prof. M. Szymo�ski (Jagiellonian University) – co-chair
      Prof. J. Siejka (University of Paris)
      Prof. A. Ha�as (Wroclaw University of Technology)
      Prof. St. Ha�as (Maria Curie-Sklodowska University)
      Prof. M.A. Herman (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences)
      Dr. J. Marks (Institute of Vacuum Technology)
      Prof. T. Stobiecki (University of Mining and Technology)
      Dr. P. Szwemin (Warsaw University of Technology)

      ORGANIZING COMMITTEE

      C.R.Kiliszek (Institute of vacuum Technology) – chair
      Prof. J.Siejka (University of Paris) � co-chair
      Dr J. Marks (Institute of Vacuum Technology)
      Dr S. W�jcicki (Institute of Vacuum Technology)
      Dr P. Szwemin (Warsaw University of Technology)

      SYMPOSIUM FORMAT

      16 invited lectures of 30 min. each will be given in an oral form by 8 French and 8 Polish presenters. All contributed papers will be presented as posters. The working language of the symposium is English. No translation facilities will be provided.


      SPRAWOZDANIA Z DZIALALNOSCI SEKCJI PTP w 1999 r.

      Sekcja Nauki o Powierzchni

      Rok 1999 byl kolejnym si�dmym rokiem dzialalnosci Sekcji Nauki o PTP, w kt�rym Zarzad Sekcji wybrany przez Walne Zebranie Sprawozdawczo-Wyborcze Sekcji w dniu 25 maja 1998 r. w trakcie I Kongresu PTP w Krakowie pracowal w nastepujacym skladzie:

      • dr.hab. Jacek SZUBER – prof.nzw., Instytut Fizyki Pol.Sl. w Gliwicach – przewodniczacy
      • prof.dr hab. Aleksander JABLONSKI – Instytut Chemii Fizycznej PAN w Warszawie – z-ca przewodniczacego
      • dr Piotr KONARSKI – Instytut Technologii Pr�zniowej, Warszawa – sekretarz.

      Zgodnie z planem dzialania przedyskutowanym na Walnym Zebraniu Sprawozdawczo-Wyborczym w dniu 25 maja 1998 r. Zarzad Sekcji w roku 1999 skupil sie gl�wnie na organizacji lub wsp�lorganizacji naukowych konferencji organizowanych pod auspicjami PTP.

        Najwazniejszymi osiagnieciami Sekcji w roku 1999 bylo:

      • zorganizowanie przez Zaklad Fizyki Doswiadczalnej Uniwersytetu M.C.Sklodowskiej w Lublinie, pod auspicjami Sekcji Nauki o Powierzchni oraz Sekcji Cienkich Warstw Polskiego Towarzystwa Pr�zniowego, VII Seminarium „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe” w dniach 16-18 wrzesnia 1999 r. w Kazimierzu Dolnym.
        W trakcie Seminarium wygloszono kilkanascie referat�w zaproszonych, natomiast komunikaty z prac wlasnych przedstawiono w trakcie sesji plakatowej. Materialy Seminarium ukaza sie w specjalnym numerze czasopisma ELECTRON TECHNOLOGY (sprawozdanie z Seminarium patrz powyzej) W trakcie trwania Seminarium planowane bylo coroczne zebranie Sekcji, jednak ze wzgledu na niewielka liczbe czlonk�w Sekcji obecnych na Seminarium przedyskutowano jedynie plan zorganizowania w roku 2000 kolejnego Seminarium z tego cyklu przez osrodek krakowski.
      • zorganizowanie przez Zaklad Fizyki Powierzchni P�lprzewodnik�w Politechniki Slaskiej w Gliwicach miedzynarodowej konferencji naukowej p.n. I International Seminar on Semiconductor Surface Passivation – SSP’99 w dniach 19-22 wrzesnia 1999 w Ustroniu. W Seminarium wzielo udzial ponad 40 uczestnik�w, w tym ok. 30 z zagranicy. W trakcie Seminarium wygloszono 18 referat�w zaproszonych, a pozostale prace (ponad 20) przedstawiono w formie plakatowej. Materialy Seminarium ukaza sie w specjalnym numerze recenzowanego czasopisma VACUUM (Elsevier Science Ltd). Sekcja Nauki o Powierzchni bedzie wsp�lorganizatorem – II International Seminar on Semiconductor Gas Sensors – SGS’2000 w dniach 25-28 wrzesnia 2000 w Ustroniu. Szczeg�lowe informacje o Seminarium mozna znalezc w biuletynie w oddzielnym komunikacie.

      Przewodniczacy Sekcji Nauki o Powierzchni
      Prof. dr hab. Jacek Szuber

      Sprawozdanie z dzia�alno�ci Sekcji Cienkich Warstw PTP za rok 1999

        W 1999 roku dzia�alno�� Sekcji Cienkich Warstw PTP, opr�cz dzia�alno�ci statutowej, zwi�zana by�a przede wszystkim z organizacj� imprez i seminari�w naukowych:

      1. Zgodnie z ustaleniami w Krakowie zorganizowano kolejne Seminarium „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe” w Kazimierzu Dolnym. G��wnym organizatorem seminarium by� Zak�ad Fizyki UMCS w Lublinie. Seminarium odby�o si� w miesi�cu wrze�niu.
      2. Wsp�lnie z Instytutem Techniki Mikrosystem�w Politechniki Wroc�awskiej przygotowano referat pt. „Niebieska Optoelektronika” na Festiwal Nauki we Wroc�awiu. Referat zosta� przygotowany i wyg�oszony wsp�lnie przez dr dr Marka T�acza�� i Marka Panka w ramach wroc�awskich Dni Nauki w miesi�cu wrze�niu oraz podczas Dni Nauki w Legnicy w miesi�cu pa�dzierniku 1999 r.
      3. Wsp�lnie z Instytutem Fizyki Uniwersytetu Wroc�awskiego w ramach wsp��pracy z Instytutem Fizyki RAN w Moskwie zorganizowano Seminarium pt. „Domain wall mechanism of commensurate-incommensurate transition in chemisorbed halogen layers on Cu(111) and Cu(100). wyg�oszone przez prof. K.N. Eltsova. Seminarium odby�o si� w Instytucie Fizyki UW.
      4. Rozpocz�to wst�pne prace organizacyjne kolejnego Seminarium �Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe”. Zgodnie z wcze�niejszymi ustaleniami g��wnym organizatorem seminarium b�dzie Instytut Techniki Mikrosystem�w Politechniki Wroc�awskiej przy wsp��udziale obydwu Sekcji PTP� Cienkich Warstw i Fizyki Powierzchni.
      5. Przewodnicz�cy Sekcji bierze udzia� w organizacji konferencji naukowej ELTE�2000.

      Sekretarz Sekcji
      dr in�. Ryszard Korbutowicz
      Przewodnicz�cy Sekcji
      dr in�. Marek T�acza�a