Opublikowano

Biuletyn Polskiego Towarzystwa Próżniowego nr 16 (1) 2005

Jubileuszowe Seminarium Naukowe Poświęcone 50-leciu Pracy Naukowej oraz 70-leciu urodzin profesorów Wojciech Czarczyńskiego i Andrzeja Hałasa
Seminarium Naukowe: Polska Elektronika Próżniowa Wczoraj i Dziś
Politechnika Wrocławska 2005
ZARYS HISTORII TECHNIKI WYSOKIEJ PRÓŻNI W POLSCE
Piotr Szwemin

Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej

W bie��cym roku mija 80 lat od opublikowania w Polsce pierwszej pracy z dziedziny pr��ni obchodzili�my tak�e pi��dziesi�ciolecie pracy naukowej Profesora Andrzeja Ha�asa, nauczyciela wielu dzisiejszych „pr��niowc�w”, niestrudzonego propagatora technologii pr��niowych i animatora krajowego �rodowiska pr��niowego. Rocznice te sk�aniaj� do spojrzenia w przesz�o�� i do dokonania pr�by utrwalenia historii tej dziedziny w kraju.

1. Pocz�tki w Politechnice Warszawskiej

Pierwszym �ladem materialnym w historii techniki pr��ni w Polsce jest praca kpt. in�. Janusza Groszkowskiego po�wi�cona uwalnianiu „gaz�w okludowanych w triodzie” nadawczej w funkcji wydzielanej w anodzie mocy, opublikowana w 1925 r. [1].

Z perspektywy lat dopatrujemy si� szczeg�lnej konsekwencji w ewolucji zainteresowa� prof. Janusza Groszkowskiego: od pierwszych zainteresowa� technicznych radiostacjami (jeszcze jako oficera wojsk ��czno�ci) przez prace naukowe z teorii stabilizacji cz�stotliwo�ci i z nieliniowej teorii generacji (tworzonych przez niego ju� jako profesora w Politechnice Warszawskiej) ku lampom elektronowym – zw�aszcza magnetronom i w trakcie tej drogi dostrze�enie problem�w materia�owych oraz technologicznych maj�cych zasadniczy wp�yw na jako�� lamp elektronowych, a w konsekwencji na w�a�ciwo�ci sk�adaj�cych si� z nich urz�dze�. Badane w ko�cu lat 30. magnetrony pompowane by�y w Laboratorium Katedry Radiotechniki na stanowisku wysokiej pr��ni. Stanowisko to by�o zbudowane z podzespo��w pr��niowych udost�pnionych przez Polskie Zak�ady Philipsa S.A. (za�o�one w 1922 r.) [2]. Taka by�a droga do zal��k�w techniki wysokiej pr��ni w Polsce.

Jeszcze w latach okupacji prof . Janusz Groszkowski przygotowa� r�kopis pierwszego polskiego podr�cznika po�wi�conego technice wysokiej pr��ni, wydanego nak�adem Pa�stwowego Instytutu Telekomunikacji w roku 1948 [3] (rys. 1). W tym samym roku profesor zacz�� wyk�ada� w Politechnice Warszawskiej przedmiot „Technika wysokiej pr��ni”, uzupe�niony w 1950 r. o laboratorium z tego zakresu (rys. 2). W nast�pnych latach pojawiaj� si� nowe podr�czniki Technologii Pr��ni [4] i Techniki Pr��ni [5] Jego autorstwa i kolejne ksi��ki po�wi�cone tej dziedzinie. Podr�czniki te doczeka�y si� przek�ad�w na obce j�zyki.

Rys. 1. Ok�adka pierwszego polskiego podr�cznika J. Groszkowskiego „Technika Wysokiej Pr��ni” (1948r.).

Rys. 2. Stanowisko laboratoryjne w Katedrze Wysokiej Pr��ni Politechniki Warszawskiej; pocz�tek lat 60-tych. Zawory metalowe: z lewej zaw�r zbudowany w KWP, zaw�r z prawej produkcji PIE. Pomi�dzy nabiegunnikami magnesu – omegatron.

2. Pocz�tki w Politechnice Wroc�awskiej

Zacz�tk�w techniki pr��ni w �rodowisku wroc�awskim mo�na dopatrzy� si� w powsta�ej w 1954 r. Katedrze Elektroniki. Na jej czele stan�� doc. Wies�aw Barwicz, a w jej sk�ad, na pocz�tku lat 60 . wchodzili starsi asystenci Andrzej Ha�as, Romuald Nowicki oraz asystenci – Andrzej Mulak, Henryk Szyma�ski i Jerzy Zdanowski. Jednym z obszar�w naukowych i dydaktycznych Katedry by�a technologia i aparatura wysokiej pr��ni. Z wypowiedzi wymienionych os�b wynika, �e pocz�tkowo podstaw w tej dziedzinie dostarcza� pierwszy podr�cznik prof. Janusza Groszkowskiego. Dwadzie�cia lat p��niej, w 1974 r. Wydawnictwo Politechniki Wroc�awskiej wyda�o skrypt prof. Andrzeja Ha�asa „Technologia Wysokiej Pr��ni”. W skrypcie tym autor wprowadzi� elementy kinetycznej teorii gaz�w, co upowszechnia�o podstawy fizyczne techniki pr��ni w nowoczesnej formie. Skrypt ten po licznych uzupe�nieniach wydany zosta� przez PWN [6] w 1980 r. w formie podr�cznika akademickiego, zyskuj�c uznanie ca�ego �rodowiska pr��niowego i bardzo pochlebn� recenzj� prof. Janusza Groszkowskiego.

Pionierski okres pracy w Politechnice Wroc�awskiej prof. Andrzej Ha�as tak wspomina: ” M�wi�c o organizacji laboratori�w mam na uwadze nie tylko zestawianie �wicze�, czy opracowanie skryptu i instrukcji, ale budow� stanowisk technologicznych i pomiarowych, budow� zasilaczy, a nawet niekt�rych przyrz�d�w pomiarowych. Podstawowy szkielet tych laboratori�w powsta� w ci�gu zaledwie kilku lat i z perspektywy czasu oceniam to jako jedno z najwi�kszych moich osi�gni�� dydaktycznych ” [7]. S�dz�, �e opis ten dobrze charakteryzuje osob� Profesora oraz atmosfer� okresu powojennego panuj�c� tak�e w innych krajowych uczelniach.

3. Zak�ad Techniki Pr��ni w Politechnice Wroc�awskiej

Zak�ad Techniki Pr��ni istnia� od 1968 r., jako wydzielona jednostka, niezale�nie od szeregu zmian w strukturze Politechniki Wroc�awskiej (w 1968 roku powsta� Instytut Technologii Elektronowej, w sk�ad kt�rego wesz�a Katedra Elektroniki; w 1998 r. ITE sta� si� Instytutem Techniki Mikrosystem�w by, w 2002 r. przekszta�ci� si� w samodzielny Wydzia� Elektroniki Mikrosystem�w i Fotoniki [8]). Jego kierownikiem zosta� doc. dr in�. Andrzej Ha�as, od 1983 r. profesor tytularny. Prace w dziedzinie techniki pr��ni, obok P rofesora, prowadzili tak�e doktorzy Andrzej Detka, Czes�aw Kirczuk, J�zef Kudzia, Jan Oprycha�, Herbert Praso� i doc. dr Micha� Moraw. Kierownikiem Zak�adu jest obecnie dr hab. Witold Posadowski. Prof. dr Andrzej Ha�as jest obecnie kierownikiem Katedry Mikroelektroniki i Mikrosystem�w, w sk�ad kt�rej wchodzi ten zak�ad.

W dziedzinie miernictwa pr��ni prace Zak�adu zwi�zane by�y z g�rnym kresem g�owic jonizacyjnych i opracowaniem pr��niomierza jonizacyjnego na zakres wy�szych ci�nie� (do 100 Pa) o konstrukcji g�owicy wzorowanej na pracy Shultza-Phelpsa. G�owica ta posiada�a katod� itrow�, odporn� na utleniaj�ce dzia�anie gaz�w resztkowych o podwy�szonym ci�nieniu. Ma�oseryjn� produkcj� tego pr��niomierza podj�� ZOPAP w Warszawie. Z kolei opracowana pod kierunkiem doc. Micha�a Morawa g�owica jarzeniowa (o konstrukcji odwr�conego magnetronu) pozwala�a na pomiary najni�szych ci�nie�. Opracowano te� konstrukcj� kombinowan� g�owicy jonizacyjnej wysokoci�nieniowej z g�owic� typu Bayarda-Alperta, rozszerzaj�c tym samym zakres ci�nie� mierzonych pr��niomierzem jonizacyjnym. Dla cel�w technicznych opracowano pr��niomierz z zespolon� g�owic� cieplno-przewodno�ciow� i jonow�. G�owice pomiarowe termoelektryczna i jarzeniowa typu odwr�cony magnetron sta�y si� podstawowym wyposa�eniem napylarek pr��niowych, produkowanych w ZAP w Boles�awcu i TEPRO w Koszalinie.

Rys. 3. Ch�odziarka i kriopompa opracowana w Zak�adzie Techniki Pr��ni Politechniki Wroc�awskiej w latach 90-tych.

Ju� na pocz�tku lat 70. z inicjatywy prof. Andrzeja Ha�asa, podj�to badania kriogenerator�w, w tym opartych na termodynamicznym cyklu Gifforda-McMahona, a pod koniec lat 70. zbudowano pomp� kriogeniczn� z tak� ch�odziark�. Prowadzone przez wiele lat badania i prace konstrukcyjne doprowadzi�y ostatecznie do uruchomienia ma�oseryjnej produkcji tych pomp na terenie Instytutu. Najnowszy model kriopompy (z ko�ca lat 90.) przedstawia rys. 3. Prace te prowadzi� zesp�� badawczy w kierunku ekstremalnie wysokiej pr��ni. Wyrazem uznania autorytetu Zak�adu w tym obszarze by� szereg zamawianych referat�w konferencyjnych na temat ultra wysokiej i ekstremalnej pr��ni jakie prof. Andrzej Ha�as wyg�asza� na wielu konferencjach pr��niowych. Przedmiotem bada� Zak�adu sta�y si� w latach 90. procesy sorpcji i desorpcji gazu na �ciankach aparatury pr��niowej – ograniczaj�ce mo�liwo�� otrzymywania ultra wysokiej i ekstremalnie wysokiej pr��ni. Prace z tej tematyki podsumowuje seria artyku��w w Vacuum oraz opracowanie metod przy�pieszonego odgazowywania kom�r pr��niowych wykorzystuj�cych promieniowanie nadfioletowe, a tak�e bombardowanie jonowe – metod zastosowanych z powodzeniem w napylarkach pr��niowych , a eksploatowany w Zak�adzie uk�ad pr��niowy pozwala na uzyskanie ci�nienia rz�du 10 -9 Pa w ci�gu kilku godzin.

4. Przemys�owy Instytut Elektroniki w Warszawie

W roku 1956 doc. Wies�aw Barwicz, jako dyrektor techniczny Zak�ad�w Wytw�rczych Lamp Elektronowych w Warszawie, podj�� starania stworzenia zaplecza naukowo-badawczego dla rozwijaj�cego si� przemys�u elektronicznego. Tak powsta� Przemys�owy Instytut Elektroniki. Instytut ten s�u�y� dora�nym potrzebom przemys�u Elektronicznego przyjmuj�c kolejne nazwy odpowiadaj�ce „sztandarowym zadaniom ” : O�rodek Badawczo-Rozwojowy (OBR) Elektroniki Pr��niowej (1972), OBR Techniki Telewizyjnej (1977), OBR Przetwornik�w Obrazu (1980) by w 1984 r. powr�ci� do nazwy OBREP i nast�pnie uzyska� rang� Instytutu Technologii Pr��niowej (1993). ITP po po��czeniu z PIE ponownie staje si� Przemys�owym Instytutem Elektroniki (2003). Powy�szym zmianom towarzyszy�y zwykle znacz�ce przesuni�cia kadry z innych lub do nowych o�rodk�w. Stosuj�c w tytule nazw� PIE autor ma na my�li pion techniki pr��ni wszystkich wymienionych jednostek. Pierwszym dyrektorem PIE zosta� doc. Wies�aw Barwicz, kt�ry w 1968 r. uzyska� tytu� profesora . Pe�ni� t� funkcj� do roku 1980, a nast�pnie, w latach 1980-2003, funkcj� t� piastowa� doc. Czes�aw Kiliszek. Wkr�tce PIE sta� si� jednym z najwa�niejszych w kraju o�rodk�w opracowuj�cych i wytwarzaj�cych nowoczesne podzespo�y oraz urz�dzenia ultra wysokiej i czystej pr��ni. Tu powsta�y pierwsze zawory metalowe jeszcze z membranami niklowymi, a p��niej ca�a rodzina zawor�w k�towych pr��ni wst�pnej (ZMN) z uszczelnieniami vitonowymi, a dla potrzeb techniki UHV zawory k�towe (ZMW) z uszczelnieniem metal-metal i mieszkami ze stali nierdzewnej, szafirowe zawory dozuj�ce (ZDS), pompy zeolitowe, pompy jonowo-sorpcyjne: z zimn� katod� (PZK) , z gor�c� katod� (PTJ) , orbitronowa PO-2000 oraz pompy sublimacyjne (PST). Oryginalnym opracowaniem by�a pompa sublimacyjno – pu�apkowa (PSP) opatentowana przez mgr Ryszarda Cyra�skiego. W OBREP-ie powsta�a te� ca�a rodzina pr��niomierzy, mi�dzy innymi: jonizacyjny PJ 5 o zakresie pomiarowym do 10 -8 Pa, jarzeniowy PWJ-6 o zakresie pomiarowym do 10 -6 Pa oraz pr��niomierz jonizacyjny „militorowy” o zakresie 10 -3 �10 Pa.

Wymienione podzespo�y stanowi�y sk�adniki szeregu stanowisk pompowych do wytwarzania ultra wysokiej pr��ni: UP – 200 UW, UP – 1000UW i UP – 5000UW oraz napylarki pr��niowe NP – 350UW/S i NP – 502UW. Ich produkcja zosta�a w po�owie lat siedemdziesi�tych przekazana do ZAP w Boles�awcu.

Rys. 4. Spektrometr mas jon�w wt�rnych (ITP).

W OBREP-ie powsta�y pierwsze w Polsce analizatory gaz�w rozrzedzonych: omegatron i ca�a gama spektrometr�w kwadrupolowych. W latach 80. zacz��y powstawa� manipulatory pr��niowe oraz podzespo�y do przenoszenia ruchu i do transportu w pr��ni. Wreszcie spektrometry mas jon�w wt�rnych (SAJW) (rys. 4), a w latach 90. kilka urz�dze� do epitaksji z wi�zek molekularnych (MBE). Pe�ny wykaz opracowanych i wytwarzanych wyrob�w obejmuje ponad 600 pozycji. Podzespo�y te i urz�dzenia konstruowali: mgr in�. Andrzej Bachtin, mgr Ryszard Cyra�ski, dr in�. Wenancjusz Czarycki, mgr Hanna Go�owacz, prof. dr hab. Marian Herman, mgr in�. Eugeniusz Kaufman, dr Piotr Konarski, mgr Henryk Magie�ko, doc. dr Jerzy Marks, doc. dr Bogus�aw Masiewicz, mgr in�. Jerzy Mirowski, Eugeniusz Musiejowski, dr Jerzy Sadowski i Andrzej Sobolewski [9,10] (rys. 5, 6 i 7).

W latach 90. powstaje w Instytucie laboratorium metrologiczne z wzorcami wt�rnymi wysokiej (rys. 8) i niskiej pr��ni, kt�re w 1998 r. uzyska�o certyfikat G��wnego Urz�du Miar. Prof. Andrzej Ha�as by� pocz�tkowo konsultantem a p��niej do 1998 r. kierownikiem tego laboratorium. By� tak�e cz�onkiem i przewodnicz�cym Rady Naukowej Instytutu (rys. 9) oraz inicjatorem modernizacji wyrob�w pr��niowych (w ramach Projektu Badawczego Zamawianego).

Rys. 5. Rodzina pomp jonowo-sorpcyjnych z zimnymi katodami opracowana w ITP w ko�cu lat 90-tych w ramach PBZ.

Rys. 6. Rodzina spektrometr�w kwadrupolowych (opracowanie ITP z 1994 r.).

Rys. 7. �luza pr��niowa opracowana w ITP w ramach PBZ.

Rys. 8. Wzorzec wt�rny wysokiej pr��ni (ITP).

Rys. 9. Z posiedzenia Rady Naukowej Instytutu Technologii Pr��niowej, od lewej prof. Wies�aw Barwicz, prof. Andrzej Ha�as, doc. Czes�aw Kiliszek.

5. �rodowisko wroc�awskie

Podobnie jak inne uczelnie w kraju Politechnika Wroc�awska rozpoczyna�a po wojnie swoj� dzia�alno�� w czasie tworzenia od podstaw zak�ad�w produkcyjnych. Jak pisze
prof. Andrzej Ha�as [11]: ” Ze wzgl�du na znaczny niedob�r kadry w owym okresie, pracownicy naukowi uczelni byli jednocze�nie pionierami przemys�u dolno�l�skiego, a in�ynierowie i technicy pracuj�cy w zak�adach dzielili si� sw� wiedz�, prowadz�c wyk�ady dla student�w .” Ten szczeg�lny rodzaj zwi�zk�w jest widoczny tak�e w ca�ej historii techniki i technologii pr��ni wywodz�cej si� z o�rodka wroc�awskiego. I tak po odkryciu w 1946 r. w d. Rychbachu (obecnie Dzier�oni�w) pozosta�o�ci fabryki lamp elektronowych, Wies�aw Barwicz zorganizowa� tam produkcj� i zosta� jej dyrektorem technicznym (Pa�stwowej Wytw�rni Lamp Elektronowych). Wytw�rni� przeniesiono w 1949 r. do Warszawy i na miejscu dawnej fabryki �ar�wek Philipsa powsta�y Zak�ady Wytw�rcze Lamp Elektronowych.

Jeszcze w latach 50., z inicjatywy doc. Wies�awa Barwicza, powsta� Oddzia� Wroc�awski Przemys�owego Instytutu Elektroniki . By� on od pocz�tku silnie zwi�zany z Katedr� Elektroniki Politechniki Wroc�awskiej, a po przekszta�ceniu Oddzia�u Wroc�awskiego PIE w Oddzia� Wroc�awski OBREP – z Instytutem Technologii Elektronowej Politechniki Wroc�awskiej. W pocz�tkowym okresie Oddzia� Wroc�awski PIE zajmowa� si� lampami mikrofalowymi, optyk� elektronow� i w mniejszym stopniu miniaturowymi lampami elektronowymi. W latach 1961 – 63 cz��� produkcji lamp mikrofalowych zosta�a przeniesiona z Oddzia�u Wroc�awskiego PIE do nowopowsta�ych zak�ad�w DOLAM. W roku 1966 w Oddziale Wroc�awskim PIE powsta� Zak�ad Urz�dze� Pr��niowych. Jego zadaniem by�o opracowywanie i wytwarzanie aparatury wysokiej pr��ni. Jednym z pierwszych dokona� tego Zak�adu by�a napylarka NA-500 wykonana dla ELWRO, za opracowanie kt�rej zesp�� otrzyma� Nagrod� Przewodnicz�cego KNiT. Kierownikiem tego zak�adu by� przez wiele lat mgr in�. Bogdan Biczysko.

Rys. 10. Uk�ad pompowy UP800 skonstruowany w ITE Politechniki Wroc�awskiej.

Rys. 11. Napylarka NP-701 H wykonana w ITE Politechniki Wroc�awskiej. Wyposa�enie obejmuje wyrzutnie magnetronowe.

W latach 1968-1975 jeszcze w Oddziale Wroc�awskim PIE, opracowana zosta�a rodzina nowoczesnych pomp dyfuzyjnych PDO – 300, PDO – 800, PDO – 2000, PDO – 2002 oraz
PDO – 14000. Pompa PDO – 6000 zosta�a opracowana w zespole warszawskim, kierowanym przez in�. Pietrzaka i wdro�ona we Wroc�awiu. W oparciu o te pompy powsta�a rodzina uk�ad�w pr��niowych UP-300, 800, 2000 i 14000 (z ko�nierzami NW100, 160, 250, 400 i 630) (rys. 10). Uk�ad pomiaru pr��ni oparty zosta� na pr��niomierzach termoelektrycznym i jarzeniowym opracowanych w Instytucie Technologii Elektronowe Politechniki Wroc�awskiej (rys. 11). Kontynuowano te� prace rozwojowe nad napylark� NA – 501P, w kt�rej zastosowano uk�ad pr��niowy UP – 2000 sterowany elektropneumatycznie [7 ]. Z czasem wyposa�ono j� w wyrzutni� elektronow� do naparowywania o mocy 6 kW. W zespole wroc�awskim zosta�o r�wnie� opracowane stanowisko do metalizacji pr��niowej SMP – 800 wykorzystuj�ce uk�ad z pomp� dyfuzyjn� PDO-6000. Stanowisko to znalaz�o szerokie zastosowanie w przemy�le do wytwarzania cienkich warstw odblaskowych, dekoracyjnych i ochronnych. Wi�kszo�� opracowa� Zak�adu Techniki Pr��ni zosta�a wdro�ona w Zak�adzie Do�wiadczalnym Aparatury Pr��niowej w Boles�awcu a tak�e w TEPRO w Koszalinie.

7. Zak�ad Aparatury Pr��niowej w Boles�awcu

W 1962 r. powstaje w Boles�awcu (�l�skim) Zak�ad Do�wiadczalny Elektroniki Pr��niowej jako Zak�ad Do�wiadczalny PIE. W 1972 sta� si� on Zak�adem Do�wiadczalnym Aparatury Pr��niowej OBREP, w kt�rym dominuj�c� produkcj� stanowi�y podzespo�y i aparatura pr��niowa. P��niej ZDEP/OBREP przyj�� nazw� „Zak�ad Aparatury Pr��niowej”, kt�r� nosi� do zako�czenia dzia�alno�ci w 1993 r. Pocz�tkowo profil produkcji obejmowa� wska�niki neonowe, gettery do lamp elektronowych, komory gaszeniowe a tak�e pr��niow� aparatur� technologiczn� i urz�dzenia elektronowi�zkowe. W roku 1978 Zak�ad zosta� w��czony do powsta�ego Centrum Uczelniano-Przemys�owego UNITRA-DOLAM. Jego zapleczem naukowo-badawczym by� Instytut Technologii Elektronowej Politechniki Wroc�awskiej. W latach 80-tych w ZAP wykonano, we wsp��pracy z ITE, szereg pr��niowych urz�dze� technologicznych: do metalizacji folii kondensatorowej, do proces�w pompowania lamp mikrofalowych, do lutowania wi�zk� elektron�w oraz piece pr��niowe 1100oC dla DOLAM-u. Wykonano tak�e kilka uniwersalnych i specjalistycznych spawarek elektronowi�zkowych przeznaczonych szczeg�lnie dla przemys�u narz�dziowego. Przy wsp��pracy z CEMAT-em wykonano pierwsze krajowe urz�dzenie do monokrystalizacji krzemu metod� Czochralskiego a pod koniec lat 80-tych do produkcji seryjnej wdro�ono opracowane w ITE PWr wyrzutnie magnetronowe do napylarek pr��niowych.

W po�owie lat siedemdziesi�tych wytwarzane w ZAP pompy dyfuzyjne i urz�dzenia wysokiej pr��ni oparte na tych pompach, przekazano do produkcji przemys�owej w Zak�adzie Techniki Pr��niowej TEPRO w Koszalinie. Po rozbudowie Zak�adu Aparatury Pr��niowej w 1975 r., w produkcji pojawi�y si� podzespo�y i urz�dzenia do wytwarzania ultra wysokiej i czystej pr��ni. W zak�adzie wdro�ono produkcj� m.in. zawor�w niskiej pr��ni ZMN-25A, zawor�w k�towych serii ZMW z uszczelnieniem metal-metal, zawor�w odcinaj�co-zapowietrzaj�cych ZOE, pomp zeolitowych, pomp sublimacyjno-pu�apkowych PSP, pomp jonowo sorpcyjnych serii PZK, pomp sublimacyjnych PST-1000, pr��niomierzy termoelektrycznych z g�owicami GT, jarzeniowych z g�owicami GJ oraz jonizacyjnych. Budowano te� seri� stanowisk pr��niowych i napylarek (rys.12). Uruchomiono tak�e produkcj� helowego wykrywacza nieszczelno�ci.

Rys. 12. Pierwsza napylarka wysokiej i czystej pr��ni wdro�ona w ZAP.

W drugiej po�owie lat 80. powsta�a seria nowoczesnych stanowisk (od najmniejszego SP200UW do SP5000UW) wykorzystuj�cych zintegrowany system pomp jonowej i sublimacyjnej – pozwalaj�cych uzyska� ci�nienie ko�cowe 10 -8 Pa przy ch�odzeniu p�aszcza pompy sublimacyjnej ciek�ym azotem.

W szczytowym okresie w Zak�adzie pracowa�o ponad 600 os�b. Ostatnim dyrektorem zak�adu by� Zbigniew Szermer, a trzon „pr��niowej” kadry technicznej stanowili absolwenci Politechniki Wroc�awskiej: Maria Adydan, Jan Aljanowicz, Jerzy Boroch, Edward Ja�lan, Andrzej Mitek, Jerzy Olenderek, Krystyna Przew�ocka, Adam Sato�a, Jan Szyma�ski i Mieczys�aw Wysocki.

8. TEPRO w Koszalinie

W 1964 r. rozpoczyna si� dzia�alno�� produkcyjna Koszali�skiego Oddzia�u Terenowego Zak�ad�w Budowy Maszyn Lampowych „UNIMA”. Zak�ad ten, z siedzib� w Warszawie, do czasu wdro�enia licencji SOGEV w Koszalinie, budowa� pompy obrotowe o nazwie PR-I i PR-II, ma�e pompy dyfuzyjne rt�ciowe i olejowe oraz automaty pompowe dla potrzeb przemys�u lampowego. W 1968 r . nast�puje otwarcie Koszali�skich Zak�ad�w Maszyn Lampowych UNIMASZ. Zakup w 1969 r. , we francuskiej firmie SOGEV licencji, zaowocowa� produkcj� jednostopniowych olejowych pomp obrotowych szeregu AL i dwustopniowych szeregu BL o szybko�ciach pompowania od 30 do 90 m 3 /h. W 1973 r. nast�puje zmiana nazwy na Zak�ad Techniki Pr��niowej w Koszalinie (w ramach Zak�ad�w Maszyn i Urz�dze� Technologicznych „UNITRA – UNIMA”) a w 1982 r. wraz z samodzielno�ci� prawn� powstaje Zak�ad Techniki Pr��niowej „TEPRO”. Oferta TEPRO obejmuje w tym czasie typoszereg pomp obrotowych, jedno i dwustopniowych, o szybko�ciach pompowania od 2 do 200 m 3 /h. Rodzina pomp dyfuzyjnych reprezentowana jest przez pompy od PDO150 do PDO 14000, opracowane w Oddziale Wroc�awskim OBREP (rys. 1 3 ).

Rys. 13. Rodzina pomp dyfuzyjnych wdro�onych w TEPRO w latach 70-tych.

Produkowane s� te� zawory niskiej pr��ni, wysokopr��niowe zawory k�towe ze sterowaniem r�cznym, elektromagnetycznym i pneumatycznym, zawory klapowe (ZP100EA, ZP160P, ZP250P i ZK400P) oraz iglicowe zawory dozuj�ce (ZDZ20 i ZDZ200) a tak�e szereg element�w po��czeniowych. Produkcja wielu z tych podzespo��w zosta�a przeniesiona
z Oddzia�u Wroc�awskiego OBREP i Zak�adu Aparatury Pr��niowej w Boles�awcu. Dotyczy to tak�e stanowisk pr��niowych SP300E oraz SP800P, SP2000P i SP 6000P oraz napylarek m.in. NA501A, NA801A [13]. Za napylark� NK602 do rezystor�w Zak�ad otrzymuje pierwszy z�oty medal na wystawie w Brnie (1994). Produkcja TEPRO obejmuje tak�e urz�dzenia do suszenia i impregnacji pr��niowej. W okresie, gdy produkcj� Zak�adu dominowa�y wyroby wysokiej pr��ni, dyrektorem TEPRO by� mgr in�. Pawe� Flens (wcze�niej w okresie powstawania zak�ad�w, pierwszym dyrektorem by� mgr in�. Zygmunt Smolik, a po nim do 1976 r. in�. Micha� St�pie� ) . Trzon kadry konstruktorskiej stanowili: mgr in�. Jan Ba�batun, mgr in�. Eugeniusz Jab�o�ski, mgr in�. Stefan Maksymiuk i mgr in�. Pawe� Murawski.

W 1994 r. Zak�ad przekszta�ci� si� w sp��k� akcyjn� TEPRO S.A. z 19% udzia�em skarbu pa�stwa. Obecn� produkcj� wyrob�w pr��niowych dominuj� olejowe pompy obrotowe (rys. 14) i pakowarki pr��niowe [14] (rys. 15).

Rys. 14. Rodzina pomp obrotowych serii BW produkowanych obecnie w TEPRO S.A.

Rys. 15. Pakowarki pr��niowe TEPRO S.A.

9. Katedra i Zak�ad Wysokiej Pr��ni w Politechnice Warszawskiej

W drugiej po�owie lat 50. w kierowanej przez prof. Janusza Groszkowskiego Katedrze Wysokiej Pr��ni, opracowano pr��niomierz jonizacyjny z g�owic� typu Bayarda-Alperta (BA). Nie tylko g�owica, ale r�wnie� uk�ad zasilaj�cy, z lampowym stabilizatorem emisyjnego pr�du elektronowego (konstrukcji mgr in�. Wies�awa Krauzego), by� nowoczesnym rozwi�zaniem na owe czasy (w tych latach w pr��niomierzach jonizacyjnych, np. firmy Edwards, nat��enie pr�du elektronowego zmieniano zwykle r�cznie, reguluj�c pr�d �arzenia ) . Okres lat sze��dziesi�tych i do po�owy lat siedemdziesi�tych charakteryzowa� si� intensywnymi pracami w dziedzinie miernictwa pr��ni. Pocz�tkowo by�y to prace zwi�zane z optymalizacj� parametr�w g�owicy jonizacyjnej BA. Zesp�� kierowany bezpo�rednio przez profesora Janusza Groszkowskiego sk�ada� si� w�wczas z trzech asystent�w (byli to Stanis�aw Pytkowski, Piotr Szwemin i Wojciech Zakrzewski). Monta�u g�owic eksperymentalnych dokonywa� in�. Stanis�aw Dobrzy�ski wsp�lnie ze szklarzem Janem Jastrz�bskim. Wyniki tych prac prof. Janusz Groszkowski opublikowa� , w postaci serii artyku��w, m.in. w Biuletynie PAN. S� one do dzisiaj cytowane na �wiecie, tak�e w najpowa�niejszych monografiach. Dalsze badania prof. Janusza Groszkowskiego po�wi�cone by�y modulacyjnej metodzie pomiaru ci�nienia i wychodzi�y one dalej ni� pierwotna koncepcja Redhead’a. Powsta�a wtedy g�owica BA z modulatorem klatkowym oraz pr��niomierz z ci�g�� modulacj� sinusoidaln� (opracowany wsp�lnie ze Stanis�awem Pytkowskim i W�odzimierzem Trzochem).

Rys. 16. Pompowanie g�owic JG na stanowisku UHV z dwiema rt�ciowymi pompami dyfuzyjnymi
(z lewej prof. Janusz Groszkowski, z prawej mgr in�. Piotr Szwemin). KWP 1968r.

Rys. 17. G�owica Groszkowskiego.

Najwa�niejszym osi�gni�ciem z tego okresu, wywodz�cym si� z bada� nad g�owicami BA, by� wynalazek g�owicy z kolektorem zewn�trznym (nazwanej p��niej g�owic� Groszkowskiego) (rys. 16 i 17). Zakres pomiarowy g�owicy Groszkowskiego przesuni�ty zosta� o ponad dwa rz�dy wielko�ci (w stosunku do najlepszych g�owic BA), co pozwala na pomiar ci�nie� 10 -10 Pa. Dla podkre�lenia warto�ci wynalazku prof. Janusza Groszkowskiego warto przypomnie�, �e w tym samym roku, w odst�pie 3 miesi�cy, pojawi�y si� publikacje Melfiego, Redheada i Helmera opisuj�ce podobne w koncepcji g�owice ( Burried Collector gauge , Ekstraktor gauge i Bent Beam gauge ). Licencje na produkowanie g�owicy Groszkowskiego zakupi�y firmy SOGEV (Francja) i Welch (USA). G�owica ekstrakcyjna jest seryjnie produkowana przez Leybolda jako IE 514. Ewolucj� g�owicy Helmera jest Ion Spectroscopy Gauge (Japonia).

Inny nurt prac Katedry Wysokiej Pr��ni prowadzony by� w zespole kierowanym przez
dr in�. Wojciecha G�rskiego. Prace te dotyczy�y pr��niomierzy cieplno – przewodno�ciowych. Warto zwr�ci� tu uwag� na zbudowany na pocz�tku lat 60. pr��niomierz sta�o-oporowy (zasilany pr�dem zmiennym o cz�stotliwo�ci 1 kHz), na prace zwi�zane z termiczn� stabilizacj� g�owic oporowych, a tak�e nad wykorzystaniem zjawiska konwekcji dla rozszerzenia zakresu pomiarowego tych g�owic a� do ci�nie� atmosferycznych – by�y to cz�sto prace pionierskie nie tylko w skali krajowej.

W 1970 r. trzy katedry utworzy�y Instytut Technologii Elektronowej. W Instytucie tym powsta� Zak�ad Techniki Pr��ni. Po formalnym przej�ciu profesora Janusza Groszkowskiego na emerytur� kierownikiem Zak�adu zosta� dr in�. Stanis�aw Pytkowski (do r. 1984) a nast�pnie dr in�. Piotr Szwemin (1984-91). W tym czasie Zak�ad rozr�s� si� do 20 os�b i poza kontynuacj� prac z dziedziny miernictwa pr��ni rozpocz�� prace w dziedzinie konstrukcji urz�dze� pr��niowych. Wa�nymi okaza�y si� prace z dziedziny spektrometrii elektron�w Augera (1980-1990) (rys. 18). Spektrometry zbudowano na bazie stanowiska pr��niowego SP2000UW wytwarzanego w ZAP w Boles�awcu, dzia�o elektronowe, analizator energii elektron�w oraz uk�ady zasilaj�ce i pomiarowe powsta�y w Zak�adzie, natomiast manipulator, �luza i dzia�o jonowe do trawienia by�y wytworzone w OBREP-ie. Za zbudowanie takiego spektrometru zesp�� dr in�. W�odzimierza Trzocha otrzyma� nagrod� Sekretarza Naukowego PAN (1986). W latach 1985-90 zesp�� zbudowa� 5 takich spektrometr�w, pracuj�cych do dzi� w kilku plac�wkach krajowych i jednej za granic�.

Rys. 18. Spektrometr elektron�w Augera (koniec lat 80-tych). Jednostka pompowa wykonana na bazie SP2000UW w ZAP w Boles�awcu, manipulator produkcji OBREP.

Na pocz�tku lat 90. nast�pi�a reorientacja zada� Zak�adu TP, od prac konstrukcyjnych ku zadaniom badawczym. W zwi�zku z konieczno�ci� ewolucji uprawianej dydaktyki rozwijano prace dotycz�ce metod symulacyjnych jako nowoczesnego narz�dzia s�u��cego analizie i syntezie pr��niowych uk�ad�w pomiarowych i technologicznych. Pocz�tkowo prace te by�y zorientowane na opracowanie program�w komputerowych wspomagaj�cych projektowanie uk�ad�w pr��niowych (kilkana�cie tych program�w znalaz�o zastosowanie w innych o�rodkach w kraju i na �wiecie), a nast�pnie na zastosowanie metod symulacyjnych do analizy uk�ad�w metrologicznych.

10. ZOPAP

W latach 50. w ramach tzw. Gospodarstw Pomocniczych uruchomiono w Politechnice Warszawskiej ma�oseryjn� produkcj� pr��niomierzy cieplno- przewodno�ciowych i pr��niomierzy jonizacyjnych. Sprzedawano w�wczas ok. 50 pr��niomierzy rocznie. Wkr�tce produkcj� pr��niomierzy oporowych przej��a sp��dzielnia Chemiter. W utworzonym w r. 1968 Zak�adzie Opracowa� Przyrz�d�w i Aparatury Pr��niowej (kierowanym kolejno przez in�. Stanis�awa Dobrzy�skiego, dr in�. Krystyna Lewensteina i dr in�. Karola Lity�skiego) wdro�ono wi�kszo�� opracowanych w Katedrze Wysokiej Pr��ni pr��niomierzy, w tym tak�e kr�tkie serie pr��niomierza BA z modulacj� oraz pr��niomierza JG. Prowadzono te� prace modernizacyjne i konstrukcyjne nowych uk�ad�w zasilaj�co – pomiarowych, a w szczeg�lno�ci nad zintegrowaniem g�owic cieplno – przewodno�ciowych z mostkowymi uk�adami pomiarowymi. Obecnie Zak�ad ten zajmuje si� metalizacj� pr��niow� i serwisem urz�dze� pr��niowych.

11. Komitet i Towarzystwo Pr��niowe

W 1980 r. w czasie I konferencji ELTE w wyniku rozm�w kuluarowych powsta�a inicjatywa utworzenia organizacji naukowo – technicznej zrzeszaj�cej osoby zajmuj�ce si� problematyk� techniki pr��ni i jej zastosowa�. Zebranie za�o�ycielskie odby�o si� w gabinecie prof. Bohdana Paszkowskiego w Politechnice Warszawskiej. Dzi�ki jego staraniom, ju� w marcu 1981 r. Zarz�d G��wny SEP podj�� uchwa�� o powo�aniu Polskiego Komitetu Techniki Pr��ni i Technologii Elektropr��niowych, dzia�aj�cego w ramach struktur SEP. Prof. Bohdan Paszkowski by� pierwszym przewodnicz�cym PKTPiTE natomiast prof. Janusz Groszkowski zosta� Przewodnicz�cym Honorowym. Prof. Andrzej Ha�as by� dwukrotnie wiceprzewodnicz�cym Komitetu, a nast�pnie przewodnicz�cym. W roku 1989 uda�o si� doprowadzi� do podj�cia przez Walne Zgromadzenie Mi�dzynarodowej Unii Nauki, Techniki i Zastosowa� Pr��ni (IUVSTA) uchwa�y o przyznaniu Polskiemu Komitetowi pe�noprawnego cz�onkostwa tej organizacji. Z inicjatywy prof. Andrzeja Ha�asa, wzoruj�c si� na strukturze IUVSTA, postanowiono rozszerzy� grono cz�onk�w Komitetu i latem 1992 r., na Walnym Zebraniu, Komitet przekszta�ci� si� w niezale�ne Polskie Towarzystwo Pr��niowe, zapraszaj�c do swego grona grup� fizyk�w zajmuj�cych si� m.in. nauk� o powierzchni. Prof. Andrzej Ha�as zosta� wybrany pierwszym przewodnicz�cym Towarzystwa, pe�ni�c nast�pnie funkcj� wiceprzewodnicz�cego (i pozostaj�c cz�onkiem Zarz�du do 2004 r. ) . W kolejnych kadencjach funkcje przewodnicz�cego pe�nili prof. Marek Szymo�ski (1995-1998), prof. Marian Herman (1998-2001), prof. Antoni Ciszewski (2001-2004) i ponownie prof. Marek Szymo�ski (od 2004). Towarzystwo liczy aktualnie oko�o 100 cz�onk�w indywidualnych i zbiorowych i poprzez swoje sekcje rozwija aktywn� dzia�alno�� organizuj�c seminaria, warsztaty, szko�y i konferencje po�wi�cone szeroko rozumianej problematyce pr��niowej, a tak�e podejmuj�c dzia�ania promuj�ce technik� pr��ni. Sekcja Techniki Pr��ni PTP zorganizowa�a cztery Krajowe Konferencje Techniki Pr��ni: w Bachotku (1996), Borkach (1999), Korbielowie (2002 ) i Cedzynie (2005). Na trzech zorganizowanych ju� Kongresach Polskiego Towarzystwa Pr��niowego: w Krakowie (1998), Warszawie (2001) i Polanicy (2003) cz�onkowie wszystkich sekcji mieli mo�no�� nie tylko zaprezentowania wynik�w swoich prac, ale r�wnie� nawi�zywania �ci�lejszych kontakt�w – cz�sto o charakterze interdyscyplinarnym. B�d�c inicjatorem przedsi�wzi�� takich, jakim by� Komitet TPiTE a obecnie jest Polskie Towarzystwo Pr��niowe prof. Andrzej Ha�as s�usznie zalicza je do swoich wa�nych osi�gni��.

Na zako�czenie autor pragnie z g�ry przeprosi� Osoby i Instytucje, kt�rych prace nie zosta�y uwidocznione w przedstawionym wy�ej zarysie historii techniki wysokiej pr��ni w Polsce. Autor ma jednak nadziej� sprowokowania uczestnik�w tej historii do skorygowania trudnych do unikni�cia brak�w i nie�cis�o�ci tego opracowania. Pragn��by tak�e zach�ci� do odszukania unikatowych fotografii os�b i zbudowanych przez nich urz�dze� pr��niowych, a tak�e uzupe�nienia tego szkicu bezpo�rednimi relacjami.

Podzi�kowania

Autor sk�ada podzi�kowania pani Marii Adydan oraz panom Bo g danowi Biczysko, Wojciechowi G�rskiemu, Andrzejowi Ha�asowi, Czes�awowi Kiliszkowi, Piotrowi Konarskiemu, Jerzemu Marksowi oraz Paw�owi Murawskiemu za relacje oraz udost�pnienie materia��w, kt�re sta�y si� podstaw� tego opracowania.

Bibliografia

 

[1]

J. Groszkowski, O pewnym uk�adzie metody jonizacyjnej pomiaru gaz�w okludowanych w elektrodach lamp tr�jelektrodowych, Prz. Radiotech. t.3. Nr 19/20, 73-76, 1925.

[2]

St. Pytkowski, Technika pr��ni w pracach prof. Janusza Groszkowskiego, w „Janusz Groszkowski 1898-1984, w rocznic� 90. urodzin”, Wyd. Politechnika Warszawska – Wydzia� Elektroniki, 43-50, 1988.

[3]

J. Groszkowski, Technika wysokiej pr��ni, PIT, Warszawa 1948.

[4]

J. Groszkowski, Technologia wysokiej pr��ni, PWT Warszawa 1953, II wyd.(zmienione) tam�e 1955.

[5]

J. Groszkowski, Technika wysokiej pr��ni, WNT Warszawa 1972, II wyd .( zmienione) tam�e 1978.

[6]

A. Ha�as, Technologia wysokiej pr��ni, PWN Warszawa 1980.

[7]

A. Ha�as, �yciorys i autoreferat, maszynopis, Wroc�aw 2005.

[8]

Materia�y do Ksi�gi Jubileuszowej 50-lecia Wydzia�u Elektroniki, oprac. M. D�browska-Szata, ITE/ITM Wydz. Elektroniki Mikrosystem�w i Fotoniki P.Wr. Wroc�aw 2003.

[9]

J. Marks, Informacja ustna, 2005.

[10]

Cz. Kiliszek, 35 lat dzia�alno�ci w dziedzinie elektroniki pr��niowej – ludzie i instytucja, Elektronika XXXII, Nr 8-9, 5-6, 1991.

[11]

A. Ha�as, Elektronika na Dolnym �l�sku, Elektronizacja Nr 4-5, 3-8, 1988.

[12]

B. Biczysko, Rozw�j wroc�awskiego �rodowiska pr��niowego, r�kopis, Wroc�aw 2005.

[13]

Katalog krajowego sprz�tu pr��niowego, PKTPiTE, oprac. P. Murawski, Koszalin 1985.

[14]

Katalog wyrob�w TEPRO S.A. 2005.

 

Materia�y wydano w:

Oficynie Wydawniczej Politechniki Wroc�awskiej

SPRAWOZDANIE Z VII KRAJOWEJ KONFERENCJI TECHNIKI PRӯNI

CEDZYNA k/KIELC 18 – 21. 09. 2005

Celem konferencji by�o zaprezentowanie prac z wielu dziedzin zwi�zanych z technik� pr��ni. Zakres prezentowanych na konferencji prac obejmowa�: podstawy fizyko-chemiczne pr��ni, problemy desorpcji gaz�w, nowe materia�y pr��niowe, miernictwo i pomiary pr��niowe, wzorce pr��ni, wytwarzanie pr��ni (pompy i technologie wytwarzania), projektowanie aparatury pr��niowej i podzespo��w pr��niowych oraz zastosowania techniki pr��niowej.

W Konferencji organizowanej przez Przemys�owy Instytut Elektroniki oraz Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej pod auspicjami Sekcji Techniki Pr��ni Polskiego towarzystwa Pr��niowego bra�o udzia� 57 uczestnik�w z r��nych o�rodk�w polskich oraz dw�ch zagranicznych. Przedstawiono 23 referaty ustne (tym 12 plenarnych, 4 referaty z prac w�asnych i 5 kr�tkich komunikat�w) oraz zaprezentowano 26 plakat�w dotycz�cych bie��cych prac w�asnych. W trakcie konferencji odby�a si� Sesja Producent�w, na kt�rej ka�dy z 7 producent�w bior�cych udzia� w konferencji mia� mo�no�� wyg�oszenia kr�tkiego referatu. Pierwszego dnia konferencji laureat nagrody im. Prof. Groszkowskiego pan A. Stec z Politechniki Rzeszowskiej wyg�osi� referat ” Metoda kontroli stanu plazmy podczas magnetronowego wy�adowania jarzeniowego”. Organizatorzy Konferencji zwo�ali tak�e zebranie Sekcji Techniki Pr��ni, gdzie om�wiono dotychczasow� dzia�alno�� Sekcji oraz zaproponowano nowe formy aktywno�ci. Bardziej szczeg��owe om�wienie Konferencji (��cznie ze sprawozdaniem z zebrania Sekcji) znajdzie si� wkr�tce na stronie konferencji ( http:\\www.pie.edu.pl\proznia_2005 ).

Organizatorzy wydali materia�y konferencyjne zawieraj�ce streszczenia wszystkich prac przedstawianych w trakcie trwania konferencji. Natomiast materia�y konferencyjne uka�� si� w tym roku w Zeszytach Naukowych Politechniki Warszawskiej seria Elektronika.

Spis referat�w VII Krajowej Konferencji Techniki Pr��ni

18 � 21 wrze�nia 2005 Cedzyna k/Kielc

A. Ha�as – Post�py techniki UHV i XHV

A. Ciszewski – Pompuj�ce w�asno�ci powierzchni – pompy getterowe

A. Stec (nagroda im. J. Groszkowskiego)

Metoda kontroli stanu plazmy podczas magnetronowego wy�adowania jarzeniowego

J. Budzioch – Pompy niskiej i �redniej pr��ni

R. Nietuby� i inni – Stanowisko pomiarowe UHV do badania oddzia�ywania bardzo inten-sywnych, femtosekundowych impuls�w �wiat�a lasera na swobodnych elektronach VUV-FEL z materi�

R. Diduszko – Zagadnienia techniki pr��ni w synchrotronie DESY i liniach pomiarowych w Hasylabie – ze szczeg�lnym uwzgl�dnieniem bada� metod� EXAFS

E. Leja, K. Marsza�ek – Potokowe i wsadowe systemy pr��niowe w praktyce przemys�owej

J. Marks, P. Konarski – Spektrometry mas wykorzystywane w jonowych metodach analizy chemicznej

K. G�uch – Potr�jnie ogniskuj�cy spektrometr mas w badaniach klaster�w gaz�w szlachetnych i fuleren�w

A. Pelc – Masowo-spektrometryczne badania wychwytu elektron�w przez moleku�y

S. Ha�as – 100 lat pracy wyj�cia

E. Czerwosz – Emitery o niskiej pracy wyj�cia

J. Soba�ski i inni – Nowe konstrukcje wielowi�zkowych lamp elektronowych dla potrzeb elektroniki mikrofalowej

S. W�jcicki i inni – Wykorzystanie wysokoenergetycznej wi�zki elektronowej w ��czeniu element�w – stan i perspektywy krajowe

W. Posadowski – Nanoszenie warstw metod� impulsowego rozpylania magnetronowego

T. Gotszalk – Badanie w�a�ciwo�ci mikro- i nanostruktur metodami mikroskopii bliskich oddzia�ywa�

Komunikaty

P. Szwemin – Jak charakteryzowa� wysokie pr��nie?

S. Mr�z – Wp�yw po�o�enia �r�d�a elektron�w oraz pola magnetycznego na prac� cylindrycz-nego analizatora zwierciadlanego z pojedynczym i podw�jnym przej�ciem

J. T. Sadowski i inni – Badanie wzrostu cienkich warstw p��przewodnik�w organicznych przy pomocy STM i LEEM

E. Staryga i inni – Emisja polowa z warstw w�glowych wytwarzanych w procesach CVD

Z. Znamirowski – Polowe emitery elektron�w wykonane technik� natryskiwania plazmowego

Uczestnicy VII Krajowej Konferencji Techniki Pr��ni przed wej�ciem do hotelu

Przerwa w obradach VII Krajowej Konferencji Techniki Pr��ni, na drugim planie stoiska wystawc�w firm ELVAC i PREVAC

IV International Workshop

on Semiconductor Surface Passivation – SSP’05

10 – 13 September 2005 Ustro� �l�ski

W dniach 10-13 wrze�nia 2005 r., w O�rodku Rehabilitacyjno-Wypoczynkowym MUFLON w Ustroniu, odby�y si� IV Mi�dzynarodowe Warsztaty Naukowe Pasywacji Powierzchni P��przewodnik�w – IV International Workshop on Semiconductor Surface Passivation – SSP’05 .

G��wnym organizatorem Warsztat�w SSP’05 by�o Europejskie Centrum Doskona�o�ci CESIS – Centre of Excellence in Physics and Technology of Semiconductor Interfaces and Sensors, oraz Krajowe Centrum Doskona�o�ci Powierzchniowych Metod Badawczych w Nanotechnologii P��przewodnikowej – NANOMET przy Zak�adzie Technologii Elektronowej Instytutu Fizyki Politechniki �l�skiej w Gliwicach. Przewodnicz�cym Komitetu Naukowego i Organizacyjnego by� prof. Jacek Szuber.

Prof. Jacek Szuber Przewodnicz�cy IV Warsztat�w SSP’05

Warsztaty SSP’05, zorganizowane pod auspicjami Sekcji Nauki o Powierzchni Polskiego Towarzystwa Pr��niowego (PTP), by�y kolejnym spotkaniem naukowym specjalist�w zajmuj�cych si� badaniami naukowymi z zakresu pasywacji powierzchni p��przewodnik�w w aspekcie zastosowa� w mikroelektronice i nanoelektronice. O randze warsztat�w �wiadczy� fakt, �e by�y konferencj� satelitarn� do odbywaj�cej si� w Berlinie XXIII European Conference on Surface Science – ECOSS23 .

W warsztatach SSP’05 wzi��o udzia� blisko 40 uczestnik�w, w tym 30 uczestnik�w zagranicznych, m.in. z Anglii, Izraela, Japonii, Korei, Niemiec, W�gier, W�och, Rosji, S�owacji i USA. Sta�y si� one okazj� do wymiany informacji, do�wiadcze� i pomys��w, w ramach szerokiej dyskusji na temat aktualnie prowadzonych bada� z tej tematyki w �wiecie, a tak�e umo�liwi�y prezentacj� swoich osi�gni�� naukowych, zw�aszcza m�odym specjalistom pracuj�cym w tej tematyce. Dzi�ki czemu mo�liwe by�o nawi�zanie i zacie�nienie kontakt�w osobistych pomi�dzy r��nymi o�rodkami krajowymi i zagranicznymi.

Prof. Jacek Szuber rozpocz�� warsztaty SSP’05 serdeczne witaj�c wszystkich uczestnik�w, w tym zw�aszcza cz�onk�w Mi�dzynarodowego Komitetu Naukowego i Doradczego. Uroczy-stego otwarcia konferencji dokona� Przewodnicz�cy Polskiego Towarzystwa Pr��niowego prof. Marek Szymo�ski.

Wsp�lne zdj�cie wyk�adowc�w i s�uchaczy IV Warsztat�w SSP’05

W trakcie warsztat�w wyg�oszono ��cznie 16 referat�w zaproszonych (w wi�kszo�ci przegl�dowych):

Th. Chasse – Tubingen University, Germany
Investigation of organic and inorganic semiconductor thin film systems using photoelectron- and X-ray spectroscopies

Z. Jin – University of Electro-Communications, Tokyo, Japan
Passivation of III-V semiconductor HBTs

T. Jones – Imperial College London, UK
STM work on hydrogen interaction with III-V semiconductor surfaces

H. Katayama-Yoshida – Osaka University, Japan
Computational materials design for semiconductor spintronics

H. Kobayashi – Osaka University, Japan
Direct observation of low state-density interface states at ultrathin SiO 2 /Si interfaces by means of XPS measurements under bias and their elimination by CN – ions

L. Kronik – Weizmann Institute of Science, Rehovoth, Israel
Studies of molecular overlayers on silicon: experiment and theory

M. Losurdo – Institute of Inorganic Methodologies and Plasmas, Bari, Italy

Playing with plasma surface treatments of wide band gap materials

J. Mizsei – Budapest University of Technology, Hungary
Silicon surface passivation by static charge

M. Takahashi – Osaka University, Japan
Low temperature formation of SiO 2 layers by nitric acid oxidation of Si

W. Lu – Ohio State University, Columbus, USA
Passivation of AlGaN/GaN heterostructures for device applications

L. Ottaviano – L’Aquila University, Coppito, Italy

Mn nanomagnets in germanium: a glimpse at the surface

H.-H. Park – Yonsei University, Seoul, Korea
Rare-earth gate oxides for GaAs MOSFET application

E. Pincik – Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia
Passivation of Si and a-Si:H surfaces by thin oxide and oxy-nitride layers

G.P. Srivastava – Exeter University, UK
The electron counting rule and passivation of compound semiconductor surfaces

M. Szymo�ski – Jagiellonian University, Cracow, Poland
Atomic structure of III-V semiconductor surfaces studied with Dynamic Force Microscopy

O.E. Tereshchenko – Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia
Structural transformations and electronic passivation of GaAs(001) surface by atomic hydrogen and cesium

D.R.T. Zahn – Chemnitz University of Technology, Germany
Passivation of GaAs surfaces using chalcogen atoms and organic molecules

Wyk�adowcy IV Warsztat�w SSP’05, po lewej prof. M. Szymo�sk – Jagiellonian
University, po prawej M. Takahashi – Osaka University

Ponadto przedstawiono 8 komunikat�w ustnych i 12 prezentacji plakatowych dotycz�cych aktualnie prowadzonych bada� do�wiadczalnych i teoretycznych z zakresu pasywacji powierzchni p��przewodnik�w.

J. Mizsei – Budapest University of Technology podczas wyk�adu (po lewej). Dyskusja podczas sesji plakatowej (po prawej)

Na zako�czenie obrad odby�a si� sesja okr�g�ego sto�u n.t. ” Current status and perspectives of semiconductor surface passivation „, kt�rej moderatorem by� prof. Gyaneshwar Srivastava. Przedmiotem bardzo o�ywionej dyskusji okr�g�ego sto�u by�y najwa�niejsze problemy pasywacji powierzchni p��przewodnik�w, ze szczeg�lnym uwzgl�dnieniem nierozwi�zanych problem�w technologicznych.

Moderator dyskusji okr�g�ego sto�u prof. Gyaneshwar Srivastava – Exeter University, UK

Organizatorzy wydali specjalny zeszyt z programem i streszczeniami przedstawionych referat�w i komunikat�w. Pe�na tre�� referat�w plenarnych oraz komunikat�w plakatowych po recenzjach zostanie opublikowana w specjalnym numerze Applied Surface Science , czasopisma o zasi�gu �wiatowym z tzw. listy filadelfijskiej, wydawanego przez wydawnictwo Elsevier Science Ltd, UK.

W ramach programu rozrywkowego warsztat�w, kt�remu towarzyszy�a pi�kna jesienna pogoda, odby�o si� m.in. przyj�cie powitalne, a tak�e uroczysta kolacja, kt�rej towarzyszy�a regionalna muzyka w wykonaniu g�ralskiej kapeli. Na zako�czenie odby�o si� spotkanie przy ognisku, po kt�rym uczestnicy zostali zaproszeni do wzi�cia udzia�u we wsp�lnym �piewaniu karaoke zorganizowanym przez mgr in�. Monik� Kwoka oraz mgr in�. Micha�a Szyd�owskiego, co z ca�� pewno�ci� r�wnie� na d�ugo pozostanie w pami�ci wielu uczestnik�w.

Prowadz�cy �piewy karaoke Monika Kwoka i Micha� Szyd�owski

W powszechnej opinii uczestnik�w, w tym wielu wybitnych specjalist�w z tematyki powierzchni p��przewodnik�w (w tym m.in. cz�onk�w komitet�w redakcyjnych �wiatowych czasopism naukowych), warsztaty z cyklu SSP’05 dobrze wype�niaj� luk� w systemie konferencji naukowych z tematyki pasywacji powierzchni p��przewodnik�w organizowanych w �wiecie i zgodnie ze wst�pnymi ustaleniami ich kolejne edycje b�d� dalej organizowane cyklicznie co 2 lata, z udzia�em specjalist�w z wa�niejszych o�rodk�w �wiatowych z tej tematyki.

Warsztaty SSP’05 by�o finansowane g��wnie z Europejskiego Centrum Doskona�o�ci CESIS oraz Centrum Doskona�o�ci NANOMET, a tak�e z dotacji Komitetu Bada� Naukowych, m.in. poprzez Polskie Towarzystwo Pr��niowe. Druk materia��w w specjalnym numerze Applied Surface Science zostanie natomiast sfinansowany z dotacji Centrum Doskona�o�ci CESIS.

Tekst: Jacek Szuber

X Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe

17 – 21 maj 2005 r.

Szklarska Por�ba �rednia

W dniach 17 – 21 maja 2005 roku w O�rodku Konferencyjno-Szkoleniowym „Rado��” Politechniki Wroc�awskiej w Szklarskiej Por�bie �redniej odby�o si� X Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe zorganizowane przez Katedr� Mikroelektroniki i Mikrosystem�w Wydzia�u Elektroniki Mikrosystem�w i Fotoniki Politechniki Wroc�awskiej pod egid� Sekcji Cienkich Warstw oraz Sekcji Nauki o Powierzchni Polskiego Towarzystwa Pr��niowego przy wsp��udziale:

� Centrum Materia��w Zaawansowanych i Nanotechnologii Politechniki Wroc�awskiej,

� Centrum Doskona�o�ci Cephona (ITE Warszawa),

� Centrum Doskona�o�ci NANOMET (IF Politechniki �l�skiej w Gliwicach).

Jest to drugie z rz�du Seminarium organizowane przez dr hab. in�. Marka T�acza�� (przewodnicz�cy Sekcji Cienkich Warstw PTP a zarazem przewodnicz�cego Komitetu Programowego i Naukowego) oraz dr in�. Ryszarda Korbutowicza (przewodnicz�cego Komitetu Organizacyjnego). Poprzednie, IX Seminarium, odby�o si� w 2002 roku.

Obrady toczy�y si� w trzech sekcjach:

  1. Sekcja Fizyki Powierzchni
  2. Sekcja struktur cienkowarstwowych

� technologia

� charakteryzacja

  1. Sekcja wsp��czesnych przyrz�d�w p��przewodnikowych

W Komitecie naukowym Seminarium byli:

� Marek T�acza�a – Przewodnicz�cy

� Maciej Bugajski – Z-ca przewodnicz�cego

� Antoni Ciszewski

� Ryszard Korbutowicz

� Jacek Kossut

� Benedykt Licznerski

� Jan Misiewicz

� W�odzimierz Nakwaski

� Regina Paszkiewicz

� Jan Szmidt

� Jacek Szuber

� Marek Szymo�ski

� Jerzy Zdanowski

za� w Komitecie organizacyjnym:

� Ryszard Korbutowicz – Przewodnicz�cy

� Damian Pucicki – Z-ca Przewodnicz�cego

� Joanna Pra�mowska

� Beata �ciana

� Adam Szyszka

� Mateusz Wo�ko

W obradach udzia� wzi��o ��cznie 79 uczestnik�w z 15 uczelni oraz instytucji naukowo-badawczych (na poprzednim, IX Seminarium by�o 60 os�b). Obecnych by�o 27 doktorant�w i 4 dyplomant�w. Zaprezentowano 7 referat�w zamawianych (40 minutowe) oraz 27 wyst�pie� – komunikat�w z prac w�asnych (15 minutowe). Odby�y si� dwie sesje plakatowe: pierwsza to po��czone Fizyka Powierzchni i Wsp��czesne Przyrz�dy P��przewodnikowe, druga to Struktury Cienkowarstwowe – technologia i charakteryzacja. ��cznie zaprezentowano 46 plakat�w.

Sala obrad i dyskusja podczas prezentacji plakatowych X Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe

Komitet Naukowy w konkursie na wyr��niaj�cy si� „m�ody” plakat nagrodzi� cztery osoby, po jednej z ka�dej sekcji.

W sekcji Fizyki Powierzchni nagrod� otrzyma� pan Maciej Kuchowicz z Instytutu Fizyki Do�wiadczalnej Uniwersytetu Wroc�awskiego za prac� pt.: Wzrost i termiczna stabilno�� cienkich warstw Au i Ag na powierzchni Mo(111) .

W sekcji Wsp��czesne Przyrz�dy P��przewodnikowe nagrod� otrzyma�a pani Katarzyna Wierzbowska z Lasmea z Universit� Blaise Pascal za prac� pt.: Sensor niskich st��e� gaz�w toksycznych na bazie epitaksjalnych warstw InP .

Uroczyste wr�czanie dyplom�w m�odym naukowcom za wyr��niaj�ce si� prezentacje plakatowe
prezentowane na X Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe

W sekcji Struktury Cienkowarstwowe – technologia nagrod� otrzyma� pan Marcin Nyk z Instytutu Fizyki Politechniki Wroc�awskiej za prac� pt.: Struktura i optyczne w�a�ciwo�ci cienkich warstw GaN osadzanych na nanokrystalicznym proszkowym pod�o�u azotku galu, wykonanych technik� MOVPE i HVPE .

W sekcji Struktury Cienkowarstwowe – charakteryzacja nagrod� otrzyma� pan Marcin Kisiel z Instytutu Fizyki Uniwersytetu Marii Curie-Sk�odowskiej z Lublina za prac�: Angle-resolved photoemission of ultrathin Pb films on Si(111)-(6×6) Au: Quantum Size Effect.

Podczas seminarium odby�o si� zebranie po��czonych Sekcji Nauki o Powierzchni oraz Sekcji Cienkich Warstw Polskiego Towarzystwa Pr��niowego.

Materia�y konferencyjne uka�� si� w jesiennym specjalnym numerze Optica Applicata (czasopi�mie z listy filadelfijskiej).

Referaty zaproszone wyg�osili:

  1. Maciej Bugajski – Kaskadowe lasery p��przewodnikowe,
  2. Teodor Gotszalk – Mikroskopia bliskich oddzia�ywa� w miernictwie mikro- i nanostruktur ,
  3. Tomasz Ochalski – Spektroskopowe metody pomiaru temperatury zwierciade� w laserach p��przewodnikowych typu DB MQW na pasmo 808 nm ,
  4. Grzegorz S�k – Zastosowanie spektroskopii fotoodbiciowej w pomiarach struktur o obni�onej wymiarowo�ci,
  5. Tomasz Stobiecki – Magnetyczne z��cze tunelowe o strukturze zaworu spinowego
  6. Jacek Szuber – Podstawowe problemy pasywacji powierzchni p��przewodnik�w,
  7. Marek Szymo�ski – Wytwarzanie i charakteryzacja nanostruktur metalicznych na powierzchniach p��przewodnik�w

Uczestnicy Seminarium mieli bawi� si� na ognisku z barankiem (pieczonym), ale pada�o i by�o bardzo zimno, wi�c spotkali si� w sali jadalnej.

By�a tak�e uroczysta kolacja, podczas kt�rej og�oszono wyniki konkursu i wr�czono nagrody.

Uroczysta kolacja na zako�czenie X Seminarium Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe

Uczestnicy Seminarium zaproponowali, aby odbywa�o si� ono cyklicznie co dwa lata, najlepiej w Szklarskiej Por�bie (mimo z�ego dojazdu – dwa poci�gi z Jeleniej G�ry na dob�).

Ryszard Korbutowicz

III Seminarium

Badania prowadzone metodami
skaningowej mikroskopii bliskich oddzia�ywa�
STM/AFM 2004

pod patronatem Polskiego Towarzystwa Pr��niowego

Zakopane, 1 – 5 grudnia 2004

 

W Zakopanym w dniach od 1 do 5grudnia odby�o si� tradycyjnie trzecie z kolei seminarium mikroskopii skaningowej i bliskich oddzia�ywa�. Pierwsze Seminarium STM/AFM 2000 zorganizowane by�o w ramach serii seminari�w „Powierzchnia i Struktury Cienkowarstwowe”, kt�re odbywaj� si� corocznie pod patronatem Sekcji Nauki o Powierzchni i Sekcji Cienkich Warstw Polskiego Towarzystwa Pr��niowego. Organizatorem spotkania w roku 2000 by� Zak�ad Fizyki Do�wiadczalnej Instytutu Fizyki Uniwersytetu Jagiello�skiego. Seminarium to mia�o charakter specjalistyczny, zwi�zany z dynamicznie rozwijaj�cymi si� (w tym r�wnie� w Polsce) technikami skaningowymi STM i AFM. Stosunkowo du�e zainteresowanie tematem spowodowa�o, �e podj�ta zosta�a decyzja o potrzebie zorganizowania cyklicznych seminari�w po�wi�conych mikroskopii bliskich oddzia�ywa�.

Seminarium STM/AFM to wsp�lne spotkanie os�b, kt�re zajmuj� si�, lub pragn� si� zajmowa� w przysz�o�ci, szeroko poj�tymi badaniami powierzchni przy pomocy nowych technik skaningowych znanych pod wsp�ln� nazw� mikroskopii bliskich oddzia�ywa� (SPM – Scanning Probe Microscopy), takich jak mikroskopia tunelowa STM, mikroskopia si� atomowych AFM i inne techniki pochodne stosowane zar�wno w warunkach ultrawysokiej pr��ni jak i w atmosferze gazowej oraz w cieczach. Spotkanie mia�o charakter interdyscyplinarny, z udzia�em przedstawicieli r��nych nauk �cis�ych i przyrodniczych uprawianych do�wiadczalnie i teoretycznie. Zaprezentowano prace dotycz�ce bada� powierzchni i granic fazowych r��nych materia��w z uwzgl�dnieniem materia��w metalicznych, p��przewodnikowych, biologicznych i medycznych.

Seminarium zosta�o zorganizowane jest przez: Centrum Bada� Uk�ad�w Nanoskopowych i Zaawansowanych Materia��w, NANOSAM Instytutu Fizyki, UJ pod patronatem Polskiego Towarzystwa Pr��niowego.
W seminarium wzi��o udzia� 100 os�b oraz cztery firmy:

Veeco Instruments GmbH (Dr. rer. nat. Udo Volz, Application Engineer)
Molecular Imaging Corp. (Gerald Kada, Ph.D., Application Scientist)
Schaefer Technologie GmbH (Dr. Martin Schaefer)
Comef (dr. A Wi�niwski)

Podczas Seminarium przedstawiciele firm Veeco oraz Molecular Imaging mieli swoje prezentacje po�wi�cone nowym technikom SPM oraz ich zastosowaniom, wykonywali r�wnie� pomiary testowe.

Wyg�oszono 13 referat�w przez zaproszonych referent�w, 21 komunikat�w oraz podczas sesji plakatowej zaprezentowano 19 prac. Zapraszam w celu zapoznania si� z tematyka seminarium na stron� internetow� seminarium – http://confer.uj.edu.pl/STM-AFM2004 .

T. Stobiecki

Na podstawie materia��w przekazanych od prof. M. Szymo�skiego i dr P. Czuby

IV International Workshop on Semiconductor Gas Sensors – SGS’2004

W dniach 19-22 wrze�nia 2004 odby�a si� w Centrum Rehabilitacyjno -Wypoczynkowym „MUFLON” w Ustroniu, pod auspicjami Sekcji Nauki o Powierzchni oraz Sekcji Struktur Cienkowarstwowych Polskiego Towarzystwa Pr��niowego mi�dzynarodowa konferencja naukowa p.n IV International Workshop on Semiconductor Gas Sensors (SGS’2004) . G��wnym organizatorem by�o Europejskie Centrum Doskona�o�ci CESIS (Centre of Excellence in Physics and Technology of Semiconductor Interfaces and Sensors) przy Zak�adzie Mikroelektroniki Politechniki �l�skiej w Gliwicach, kt�rego koordynatorem jest prof. dr hab. Jacek SZUBER. By� on r�wnie� Przewodnicz�cym Komitetu Naukowego i Organizacyjnego Warsztat�w SGS’2004 .

Uroczystego otwarcia Warsztat�w dokona� prof. Jacek SZUBER. W trakcie sesji otwarcia pierwszy referat wyg�osi� Prof. Udo WEIMAR z Uniwersytetu w T�bingen (NIEMCY), kt�ry przybli�y� za�o�enia i cele Europejskiej Sieci Doskona�o�ci GOSPEL (General Olfaction and Sensing Projects on a European Level) w referacie p.t. ” GOSPEL Network of Excellence „. Sie� Doskona�o�ci GOSPEL jest 4-letnim projektem badawczo-szkoleniowym w ramach VI PRUE, koordynowanym przez prof. Udo WEIMARA. Centrum Doskona�o�ci CESIS jest uczestnikiem tej Sieci, a tegoroczne Warsztaty SGS’2004 by�y elementem jej dzia�alno�ci edukacyjno-szkoleniowej. W tej sesji wyst�pi� r�wnie� prof. Vilho LANTTO z Uniwersytetu w Oulu (FINLANDIA) z referatem zaproszonym p.t. ” Structural and electronic aspects of gas sensing with transition metal oxides „.

Przedmiotem drugiej sesji tematycznej pierwszego dnia Warsztat�w by�y nowe kierunki w technologii p��przewodnikowych materia��w sensorowych, w ramach kt�rej prof. Juan MORANTE z Uniwersytetu w Barcelonie (HISZPANIA) wyg�osi� referat zaproszony pt. ” N anotemplates to produce nano materials for gas sensors ” , natomiast dr. Elisabetta COMINI z Uniwersytetu w Bresci (W�OCHY) p.t. ” Nano – belts, rods and wires of oxide semiconductors as third generation of gas sensors „.

Przedmiotem kolejnej sesji tematycznej pierwszego dnia Warsztat�w by�y nowe kie-runki w technologii p��przewodnikowych struktur sensorowych, w ramach kt�rej referaty zaproszone wyg�osili: Dr. Pietro SICILIANO z Instytutu Mikroelektroniki i Mikrosystem�w w Lecce (W�OCHY) nt. ” New approaches in gas sensor devices „, Dr. J�rgen W � LLENSTEIN z Instytutu Pomiar�w Fizycznych im Fraunhofera z Freiburga (NIEMCY) nt. Novel semiconductor gas sensors for hydrogen detection „, oraz Prof. Christophe PIJOLAT z Wy�szej Szko�y G�rniczej w Saint-Etienne (FRANCJA) nt. Improvement of selectivity of semiconductor gas sensors by use the membranes and filtering films „.

W pierwszym dniu Warsztat�w odby�a si� r�wnie� Sesja Plakatowa, w trakcie kt�rej zaprezentowano blisko 20 komunikat�w z prac w�asnych.

Obrady IV International Workshop on Semiconductor Gas Sensors – SGS’2004

Drugi dzie� Warsztat�w rozpocz��a sesja dotycz�ca modelowania materia��w i struktur sensorowych, w trakcie kt�rej Prof. Tadeusz PISARKIEWICZ z AGH w Krakowie przedstawi� referat zaproszony n.t. ” The model of conductance response for temperature modulated metal oxide gas sensors „, natomiast prof. Ghenadii KOROTCENKOV z Uniwersytetu Technicznego w Kiszyniowie (MO�DAWIA) referat zaproszony nt. ” Kinetics of gas response: possibilities for analysis of gas response mechanism „.

Drugi dzie� Warsztat�w zdominowa�a tematyka p��przewodnikowych, tlenkowych materia��w sensorowych. W ramach 4 sesji naukowych z tej tematyki referat zaproszony n.t. ” Initial stages of WO 3 growth onto SiO 2 ” wyg�osi� Dr. Luca OTTAVIANO z Uniwersytetu w L’Aquila (W�OCHY), natomiast p ozosta�ych 6 prac przedstawiono w formie kr�tkich komunikat�w.

Trzeci dzie� Warsztat�w rozpocz��a sesja po�wi�cona metodom kontroli w�asno�ci materia��w sensorowych, w trakcie kt�rej referat zaproszony nt. ” Vibrating capacitor method in the development of semiconductor gas sensors ” wyg�osi� Prof. Janos MIZSEI z Uniwer-sytetu Technicznego w Budapeszcie (W�GRY). Przedmiotem ostatnich dw�ch sesji tematy-cznych Warsztat�w by�y nowe p��przewodnikowe materia�y sensorowe, oraz ich zastosowa-nie do konstrukcji nowych typ�w struktur sensorowych, a referaty zaproszone wyg�osili: Dr. Luca OTTAVIANO z Uniwersytetu w L’Aquila (W�OCHY) nt. ” Role of structural defects on gas adsorption of carbon nanotubes: e xperiments and theory „, Prof. Claus-Dieter KOHL z Uniwersytetu w GIESSEN (NIEMCY) nt. ” Detection mechanisms of smells on homogenous semiconductor sensors „, oraz Prof. Guliano MARTINELLI z Uniwersytetu w Ferrara (W�OCHY) nt. ” Working principles and recent innovations in the field of micro sensors for environmental monitoring „. Pozosta�e 4 wyst�pienia mia�y charakter kr�tkich komunikat�w.

Podsumowania bardzo interesuj�cych Warsztat�w SGS’2004 dokona� Prof. Guliano MARTINELLI, natomiast uroczystego ich zamkni�cia – prof. Jacek SZUBER.

Organizatorzy wydali specjalny zeszyt z programem i streszczeniami przedstawionych referat�w i komunikat�w. Materia�y Seminarium zostan� wydane w specjalnym numerze czasopisma THIN SOLID FILMS z tzw. listy filadelfijskiej, wydawanego przez Elsevier Science. Aktualnie trwa proces recenzji ponad 20 prac z�o�onych do druku.

W ramach programu socjalnego Seminarium, kt�remu towarzyszy�a pi�kna jesienna pogoda, odby�a si� m.in. tradycyjna uroczysta kolacja, po��czona z wyst�pem zespo�u kameralnego, oraz piknik przy ognisku.

Seminarium by�o finansowane g��wnie z op�at konferencyjnych wnoszonych przez uczestnik�w, oraz z dotacji Komitetu Bada� Naukowych (KBN) i Ministerstwa Edukacji Naukowej i Sportu (MENiS). Sponsorem strategicznym Warsztat�w by�o jednak Centrum Doskona�o�ci CESIS przy Zak�adzie Mikroelektroniki Politechniki �l�skiej w Gliwicach. Z dotacji celowej tego projektu b�d� m.in. pokryte koszty druku materia��w konferencyjnych w THIN SOLID FILMS.

W powszechnej opinii uczestnik�w Warsztaty dobrze wkomponowa�y si� w cykl konferencji naukowych z tematyki sensor�w gazowych organizowanych w �wiecie i zgodnie ze wst�pnymi ustaleniami b�d� dalej organizowane cyklicznie co 2 lata, z udzia�em specjalist�w ze wszystkich wa�niejszych o�rodk�w �wiatowych z tej tematyki.

Obrady IV International Workshop on Semiconductor Gas Sensors – SGS’2004

Jacek Szuber

Zak�ad Mikroelektroniki Politechniki �l�skiej